MOSFET双脉冲测试阐发MOSFET反向规复特征-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2022-03-23
为了评价MOSFET的反向规复特征，咱们利用4种MOSFET实行了双脉冲测试。4种MOSFET均为超等结MOSFET（以下简称“SJ MOSFET”），咱们利用疾速规复型和通俗型别离停止了比拟。
先来看具备疾速规复特征的SJ MOSFET R6030JNZ4（PrestoMOS?）和具备凡是特征的SJ MOSFET R6030KNZ4的实验成果。除反向规复特征以外，这些SJ MOSFET的电气规格根基不异，在实验中，将Q1和Q2别离替代为差别的SJ MOSFET。
图1为前次给出的任务③的导通时的ID_L波形，图2为导通消耗Eon_L的波形。
图1：疾速反向规复型PrestoMOS?和通俗型SJ MOSFET的漏极电流ID_L的波形
图2：疾速反向规复型PrestoMOS?和通俗型SJ MOSFET的功率消耗Eon_L的波形
从图1能够看出，疾速反向规复型R6030JNZ4（PrestoMOS?）的Q1的反向规复电流Irr和反向规复电荷Qrr要比通俗型R6030KNZ4小很多。
从图2能够看出，Qrr较大的通俗型MOSFET的导通消耗Eon_L要比疾速反向规复型大，可见当Q1的Qrr变大时，开关消耗就会增添。
接上去请看不异条件下疾速反向规复型R6030JNZ4（PrestoMOS?）和另外一种疾速反向规复型SJ MOSFET之间的比拟成果。图3为与图1一样的ID_L波形比拟，图4为与图2一样的Eon_L比拟。
图3：疾速反向规复型R6030JNZ4和另外一种疾速反向规复型SJ MOSFET的漏极电流ID_L的波形
图4：疾速反向规复型R6030JNZ4和另外一种疾速反向规复型SJ MOSFET的功率消耗Eon_L的波形
如图3所示，与另外一种疾速反向规复型SJ MOSFET比拟，R6030JNZ4（PrestoMOS?）的Irr和Qrr更小，是以ID_L的峰值较小，如图4所示，其成果是Eon_L较小。
从这些成果能够看出，将MOSFET体二极管特征中的反向规复电流Irr和反向规复电荷Qrr节制在较小程度的MOSFET，其导通消耗Eon_L较小。这一点对疾速反向规复型之间停止比拟也是一样的论断。
以是，在设想进程中，要想下降消耗时，须要经由进程如许的体例对MOSFET的反向规复特征停止评价，并挑选最合适的MOSFET。
最初，提一个注重事变：在本次研讨中，设定的条件是具备疾速反向规复特征的MOSFET是能够下降消耗的，但在某些环境下，具备疾速反向规复特征的MOSFET是没法下降导通消耗的。其缘由之一是误启动景象。这是由MOSFET的栅极电容引发的景象。
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