【好文分享】若何避免MOSFET寄生导通？-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2022-03-21
现实上，功率MOSFET发生寄生导通（不但愿发生的事务）的机率比咱们的估计更高，形成的丧失也更大。寄生导统统常会破坏MOSFET，且以后很难查出毛病的本源。寄生导通机制取决于漏源和栅源电压间的电容分压比例 。
图1是一个根基的半桥设置装备摆设，该半桥是H桥或三相桥的一局部。若是半桥上管的MOSFET导通了，为了避免纵贯和因过流而能够呈现的MOSFET毛病，必须关断半桥下管的一个MOSFET。
图1 MOSFET半桥及其理性负载
此时，可经由过程以下公式（1）计较出栅极和源极间的电压：
是以，即使驱动电路试图关断半桥下管的MOSFET，即驱动电路将栅极和源极间的电压置为0(UGS=0V)，但因为漏源电压发生变更，且分压线路包罗米勒电容(CGD)和栅源电容，以是MOSFET依然有导通的危险。
电容分压器是最快的分压器，对漏源之间呈现的一切瞬态电压反映极快，并对此中的高频瞬态电压（即du/dt高的UDS ）反映特别快。在栅极和源极之间装置一个电阻在必然水平上能够提防寄生导通，但感化很小且对高du/dt值无感化。
上面的例子论述了这些电压究竟有多高，多快：
图2是具备寄生元件的逆变器桥臂的半桥设置装备摆设。电路规划，多少束缚或MOSFET毗连线所形成的寄生电感，电阻和电容是没法避免的。
另外一方面，逆变器地点的电路具备最高的di/dt值（典范值约为1A/ns），而机电的相电流和电源线里的电流变更绝对安稳。
图2 具备寄生电感（绿色局部）的逆变器半桥根基设想图
MOSFET里的二极管规复脉冲经常在半桥里发生最高的di/dt。寄生电感和高di/dt感到同时呈现或多或少会发生高感到电压尖峰，并在半桥里发生大批地高频噪声。
按照寄生电感的尺寸，在12V利用中会呈现过压和欠压尖峰，规模是1－2V和几十伏。除发生高频噪声，这些电压尖峰还会风险MOSFET，桥式驱动器和别的的ECU元件。另外，它们还会使功率MOSFET不测导通。
为避免寄生导通，若何拔取MOSFET
再看公式（1）：
为了避免寄生导通，UGS/UDS比必须尽可能小，UDS/UGS 比必须尽可能大，CGS/CGD比也必须尽可能大。是以，倡议：
为了对寄生导通反映低敏，CGS/CGD 比必须尽可能大，大于15（或最小大于10）。
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