【电路分享】经常操纵的错误称半桥MOSFET驱动电路-KIA MOS管

错误称半桥驱动电路先容及阐发

本文先容了几种经常操纵的错误称半桥MOSFET驱动电路，阐发了各电路的长处和合用场所。

非断绝的错误称半桥驱动电路

图1为经常操纵的小功率驱动电路，简略靠得住本钱低，合用于不请求断绝的小功率开关装备。此中一起间接接到下管，别的一起经反向器反向后驱动上管。RP1，RP2用于调度死区时辰。

正激式错误称半桥断绝驱动电路

一种正激式错误称半桥断绝驱动电路，如图2所示。

以正向电路为例，脉冲旌旗灯号经由过程高频脉冲变压器耦合去驱动功率MOSFET管，次级脉冲电压为正时，MOSFET导通，在此时代VT3遏制，由其组成的泄放电路不任务。

当次级脉冲电压为零时，则VT3导通，疾速泄放MOSFET栅极电荷，加快MOSFET的遏制。R7是用于按捺驱动脉冲的尖峰，R9，VD3，R11，VD5，R13可以或许加快驱动并避免驱动脉冲发生振荡。和与它相连的脉冲变压器绕组配合组成去磁电路。

该电路完成了断绝，且能输入较好的驱动波形。可是也存在一些缺乏的地方：

1、布局庞杂，须要双电源供电(±12V);

2、元器件较多，出格是须要两个断绝变压器，不只占用较大空间，并且增添电路本钱;公用芯片驱动电路

比方L6384是特地的错误称半桥驱动芯片，其道理图及核心电路如图3所示。单脉冲从1脚(IN)输入，5脚(HVG)和7脚(LVG)输入互补的脉冲。

3脚(DT/ST)外接电阻和电容来节制两路输入的死区时辰。当3脚的电平低于0.5V的时辰，芯片遏制任务。公用芯片具备核心电路简略、占用空间小的特色，但因为其本钱较高，不合用于低本钱设想的产物。

新型的错误称半桥断绝驱动电路

按照以上几种驱动电路，针对传统断绝驱动电路布局庞杂、占用空间大、驱动电路操纵的范围性等题目，提出了一种新型的错误称半桥断绝驱动电路，合用于单脉冲输入的芯片，具备布局简略靠得住，占用空间小等特色，并且完成了电气断绝，可以或许利用于中大功率场所。

驱动电路如图4所示，任务频次由磁芯的特征决议，普通操纵高频磁芯，任务频次可达100kHZ。

原边VT1，VT2组成的推挽式功放电路。脉冲输入高电日常平凡，VT1导通，供给MOS管驱动功率;低电日常平凡，VT2导通，电容上的储能供给反向脉冲。

变压器副边输入的两路波形经调度电路后变成互补的脉冲旌旗灯号，从而驱动MOSFET。驱动脉冲为正时，MOSFET导通，在此时代VT1，VT2遏制，由其组成的泄放电路不任务。

当次级脉冲电压为零时，则VT1，VT2导通，疾速泄放MOSFET栅极电荷，加快MOSFET的遏制。稳压管VD1，VD2对脉冲波形正向停止削波。

在SABER仿真下，该变压器副边N2，N3和上、下管的驱动波形别离如图5(a)、(b)所示。

该电路具备以下长处：

1、电路布局较简略靠得住，具备电气断绝感化。占空比牢固时，经由过程公道的参数设想，此驱动电路具备较快的开关速率。

2、该电路只要一个电源，即为单电源任务。

尝试和论断

本文设想了一台错误称半桥变更器样机：任务频次为98kHz，输入电压为400VDC，输入电压为30VDC。测得占空比为0.47时的驱动波形Ug1，Ug1如图(6)所示。

颠末考证，这类新型的错误称半桥断绝驱动电路布局不只简略，并且美满的完成了与MOS管的的互补驱动，并且这类驱动具备很好不变性，足以成为一款高机能的驱动电路。但愿大师可以或许充实懂得这类全新的驱动电路，并将之充实操纵。

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