P沟道 MOS管KIA7P03A -7.5A-30V 参数材料 原厂现货直销-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2022-03-17
KIA7P03A是高密度沟槽p-CH MOSFET，供给超卓的导通电阻和大大都同步降压转换器利用的栅极电荷。KIA7P03A知足RoHs和绿色产物请求。
RDS（ON）= 18mΩ（典范值）@ VGS = 10 V
超低栅电荷
绿色的可用装备
良好的CDV / dt效应递加
进步前辈的高密度沟槽手艺
产物型号：KIA7P03A
任务体例：-7.5A/-30V
漏源电压：-30V
栅源电压：±20V
泄电留连续：-7.5A
脉冲漏极电流：-50A
雪崩电流：-38A
雪崩能量：72.2mJ
耗散功率：31W
热电阻：40℃/W
漏源击穿电压：-30V
温度系数：-0.022V/℃
栅极阈值电压：2.5V
输入电容：1345PF
输入电容：194PF
回升时候：19.6ns
封装情势：SOP-8
KIA7P03APDF文件在线预览
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