【保藏】几种常常利用的MOSFET驱动电路分享-KIA MOS管

MOSFET驱动电路

MOSFET因导通内阻低、开关速率快等长处被普遍利用于开关电源中。MOSFET的驱动常按照电源IC和MOSFET的参数挑选适合的电路。上面一路切磋MOSFET用于开关电源的驱动电路。

在利用MOSFET设想开关电源时，大局部人城市斟酌MOSFET的导通电阻、最大电压、最大电流。但良多时辰也仅仅斟酌了这些身分，如许的电路或许能够一般任务，但并不是一个好的设想计划。

更详尽的，MOSFET还应斟酌自身寄生的参数。对一个肯定的MOSFET，其驱动电路，驱动脚输出的峰值电流，回升速率等，城市影响MOSFET的开关机能。

当电源IC与MOS管选定以后， 挑选适合的驱动电路来毗连电源IC与MOS管就显得特别主要了。

一个好的MOSFET驱动电路有以下几点请求：

(1)开关管守旧刹时，驱动电路应能供给充足大的充电电流使MOSFET栅源极间电压敏捷回升到所需值，保障开关管能疾速守旧且不存在回升沿的高频振荡。

(2)开关导通时代驱动电路能保障MOSFET栅源极间电压坚持不变且靠得住导通。

(3)关断刹时驱动电路能供给一个尽能够低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压的疾速泄放，保障开关管能疾速关断。

(4)驱动电路布局简略靠得住、消耗小。

(5)按照环境施加断绝。

上面先容几个模块电源中常常利用的MOSFET驱动电路。

1、电源IC间接驱动MOSFET

图 1 IC间接驱动MOSFET

电源IC间接驱动是咱们最常常利用的驱动体例，同时也是最简略的驱动体例，利用这类驱动体例，应当注重几个参数和这些参数的影响。

第一，检查一下电源IC手册，其最大驱动峰值电流，由于差别芯片，驱动才能良多时辰是不一样的。

第二，领会一下MOSFET的寄生电容，如图 1中C1、C2的值。若是C1、C2的值比拟大，MOS管导通的须要的能量就比拟大，若是电源IC不比拟大的驱动峰值电流，那末管子导通的速率就比拟慢。

若是驱动才能缺乏，回升沿能够呈现高频振荡，即便把图 1中Rg减小，也不能处理题目! IC驱动才能、MOS寄生电容巨细、MOS管开关速率等身分，都影响驱动电阻阻值的挑选，以是Rg并不能无穷减小。

2、电源IC驱动才能缺乏时

若是挑选MOS管寄生电容比拟大，电源IC外部的驱动才能又缺乏时，须要在驱动电路上加强驱动才能，常利用图腾柱电路增添电源IC驱动才能，其电路如图 2虚线框所示。

图 2 图腾柱驱动MOS

这类驱动电路感化在于，晋升电流供给才能，敏捷实现对栅极输出电容电荷的充电进程。这类拓扑增添了导通所须要的时候，可是削减了关断时候，开关管能疾速守旧且避免回升沿的高频振荡。

3、驱动电路加快MOS管关断时候

图 3 加快MOS关断

关断刹时驱动电路能供给一个尽能够低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压疾速泄放，保障开关管能疾速关断。

为使栅源极间电容电压的疾速泄放，常在驱动电阻上并联一个电阻和一个二极管，如图 3所示，此中D1常常利用的是快规复二极管。

这使关断时候减小，同时减小关断时的消耗。Rg2是避免关断的时电流过大，把电源IC给烧掉。

图 4 改良型加快MOS关断

在第二点先容的图腾柱电路也有加快关断感化。当电源IC的驱动才能充足时，对图 2中电路改良能够加快MOS管关断时候，获得如图 4所示电路。

用三极管来泄放栅源极间电容电压是比拟罕见的。若是Q1的发射极不电阻，当PNP三极管导通时，栅源极间电容短接，到达最短时候内把电荷放完，最大限制减小关断时的穿插消耗。

与图 3拓扑比拟拟，另有一个益处，便是栅源极间电容上的电荷泄放时电流不颠末电源IC，进步了靠得住性。

4、驱动电路加快MOS管关断时候

图 5 断绝驱动

为了知足如图 5所示高端MOS管的驱动，常常会接纳变压器驱动，偶然为了知足宁静断绝也利用变压器驱动。

此中R1目标是按捺PCB板上寄生的电感与C1构成LC振荡，C1的目标是离隔直流，经由过程交换，同时也能避免磁芯饱和。

除以上驱动电路以外，另有良多别的情势的驱动电路。对各类百般的驱动电路并不一种驱动电路是最好的，只要连系详细利用，挑选最适合的驱动。

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