MOS管驱动设想细节，你注重到了吗？-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2022-03-15
MOS管驱动设想普通以为MOSFET是电压驱动的，不须要驱动电流。但是，在MOS的G、S两级之间有结电容存在，这个电容会让驱动MOS变的不那末简略。
若是不斟酌纹波和EMI等请求的话，MOS管开关速率越快越好，由于开关时候越短，开关消耗越小，而在开关电源中开关消耗占总消耗的很大一局部，是以MOS管驱动电路的黑白间接决议了电源的效力。
对一个MOS管，若是把GS之间的电压从0拉到管子的开启电压所用的时候越短，那末MOS管开启的速率就会越快。与此类似，若是把MOS管的GS电压从开启电压降到0V的时候越短，那末MOS管关断的速率也就越快。
由此咱们能够晓得，若是想在更短的时候内把GS电压拉高或拉低，就要给MOS管栅极更大的刹时驱动电流。
大师经常利用的PWM芯片输入间接驱动MOS或用三极管缩小后再驱动MOS的体例，实在在刹时驱动电流这块是有很大缺点的。
比拟好的体例是利用公用的MOSFET驱动芯片如TC4420来驱动MOS管，这类的芯片普通有很大的刹时输入电流，并且还兼容TTL电平输入。
MOSFET驱动芯片的外部布局
MOS管驱动电路设想须要注重的处所：
由于驱动线路走线会有寄生电感，而寄生电感和MOS管的结电容会构成一个LC振荡电路，
若是间接把驱动芯片的输入端接到MOS管栅极的话，在PWM波的回升降落沿会发生很大的震动，致使MOS管急剧发烧乃至爆炸；
普通的处理体例是在栅极串连10欧摆布的电阻，下降LC振荡电路的Q值，使震动敏捷衰减掉。
由于MOS管栅极高输入阻抗的特征，一点点静电或搅扰都能够致使MOS管误导通，以是倡议在MOS管G S之间并联一个10K的电阻以下降输入阻抗；
若是担忧四周功率线路上的搅扰耦合过去发生刹时高压击穿MOS管的话，能够在GS之间再并联一个18V摆布的TVS瞬态按捺二极管，TVS能够以为是一个反映速率很快的稳压管，其刹时能够蒙受的功率高达几百至上千瓦，能够用来接收刹时的搅扰脉冲。
MOS管驱动电路参考
MOS管驱动电路的布线设想
MOS管驱动线路的环路面积要尽能够小，不然能够会引入外来的电磁搅扰。
驱动芯片的旁路电容要尽可能接近驱动芯片的VCC和GND引脚，不然走线的电感会很大水平上影响芯片的刹时输入电流。
接洽体例：邹师长教师
接洽德律风：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
接洽地点：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
请搜微信公家号:“KIA半导体”或扫一扫下图“存眷”官方微信公家号
请“存眷”官方微信公家号:供给 MOS管 手艺赞助
免责申明：本网站局部文章或图片来历别的来由，若有侵权，请接洽删除。
