手艺分享--双电源切换计划图解-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2022-03-14
大局部电子产物都配有锂电池,在不外接电源的时辰,利用锂电池停止供电；当外接电源的时辰,利用内部电源供电, 同时对锂电池充电。是以请求电路必须具有能够或许按照是不是接有内部电源,而主动挑选响应供电电源的才能。
罕见的简略电源切换电路如图1所示,但这个电路利用前提是无限制和缺点的,比方电池电压VBAT不能大于内部电压VIN,罕见的电池电压为3.7~4.2V,内部电压为USB的5V时不题目,可是电池电压为7.2V就不能利用了；
肖特基二极管的压降固然已较小,可是照旧有零点几伏摆布,丧失的功耗较多,5V内部电压出去就只变成4V多了；
内部电压供电时,会经由过程P型MOS 管的体二极管给电池停止非正轨充电,固然这点能够经由过程将Q4 MOS管摆布翻转一下处理。
为了处理上述这些缺点，名目中有时会利用较为庞杂的改良电路，如图 2 所示。
其任务道理简介以下： 当利用内部电源VIN时,三极管Q7导通,三极管Q6停止,P型MOSFETQ3因为栅极和源极经由过程电阻R4都接了电池电压VBAT, 二者相称,Q3停止,电池电压VBAT没法达到输入端VCC；
内部电源VIN接通时,VIN起首经由过程Q1 MOSFET的寄生二极管达到 输入端VCC,同时Q2三极管导通,使Q1 MOSFET的栅极拉低到GND为低电平,以是Q1的栅源极电压小于0且达到导通阈值电平,Q1导通,而后Q1体内的寄生二极管就停止了,内部电源VIN经由过程Q1达到输入端VCC。
此时,Q5 MOSFET的栅源极电压接 近相称,Q5和体二极管均停止,避免了内部电源VIN对电池的非正轨充电。
当不内部电源VIN时,三极管Q7停止,三极管Q6导通,Q3 MOSFET的栅极电压为低电平,栅源电压小于0且达到导通阈值电平,Q3导通,而后经由过程Q5的寄生二极管达到输入端VCC,而Q5的栅极此时为低电平,是以栅源电压也小于0,Q5导通,其寄生二极管停止,电池电压达到输入端VCC。
因为电源主通路利用了三个MOSFET,MOSFET在完整导通后其压降远远小于肖特基二极管(只要零点零几伏),是以其导通消耗很低；
而三个三极管固然额定增添了一些功率消耗,可是因为三极管任务在完整饱和状况,在饱和导通压降必然的前提下,导通电流能够经由过程电阻值设置的绝对较小,是以功耗也不会太高。同时该电路不管电池电压是不是大于内部电源,都能够使 用,通用性绝对较为普遍。
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