SiC MOSFET栅极驱动电路和Turn-onTurn-off举措-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2022-02-17
LS（低边）侧SiC MOSFET Turn-on和Turn-off时的VDS和ID的变更体例差别。在切磋SiC MOSFET的这类变更对Gate-Source电压（VGS）带来的影响时,须要在包含SiC MOSFET的栅极驱动电路的寄生份量在内的等效电路根本长停止考量。
右图是最根基的栅极驱动电路和SiC MOSFET的等效电路。栅极驱动电路中包含栅极旌旗灯号（VG）、SiC MOSFET外部的栅极线路内阻（RG_INT）、和SiC MOSFET的封装的源极电感量（LSOURCE）、栅极电路局部发生的电感量（LTRACE）和外加栅极电阻（RG_INT）。
对于各电压和电流的极性，须要在等效电路图中，以栅极电流（IG）和漏极电流（ID）所示的标的目的为正，以源极引脚为基准来界说VGS和VDS。
SiC MOSFET外部的栅极线路中也存在电感量，但因为它比LTRACE小，是以在此疏忽不计。
为了懂得桥式电路的Turn-on / Turn-off举措，上面对桥式电路中各SiC MOSFET的电压和电流波形停止具体申明。上面的波形图与前次的波形图是不异的。咱们和后面的等效电路图连系起来停止申明。
当正的VG被施加给LS侧栅极旌旗灯号以使LS侧ON时，Gate-Source间电容（CGS）起头充电，VGS回升，当到达SiC MOSFET的栅极阈值电压（VGS(th)）以上时， LS的ID起头活动，同时从源极流向漏极标的目的的HS侧ID起头削减。这个时候规模便是T1（见波形图最下方）。
接上去，当HS侧的ID变为零、寄生二极管 Turn-off时，与中间点的电压（VSW）起头降落的同时，将对HS侧的Drain-Source间电容（CDS）及Drain-Gate间电容（CGD）停止充电（波形图T2）。
对该HS侧的CDS＋CGD充电（LS侧放电）实现后，当LS侧的VGS到达指定的电压值，LS侧的 Turn-on举措实现。
而Turn-off举措则在LS侧VG OFF时起头，LS侧的CGS积蓄的电荷起头放电，当到达SiC MOSFET的平台电压（进入米勒效应区）时，LS侧的VDS起头回升，同时VSW回升。
在这个时候点，大局部负载电流仍在LS侧活动（波形图T4），HS侧的寄生二极管还不转流电流。
LS侧的CDS+CGD充电（HS侧为放电）实现时，VSW跨越输出电压（E），HS侧的寄生二极管Turn-on，LS侧的ID起头转向HS侧活动（波形图T5）。
LS侧的ID终究变为零，进入死区时候（波形图T6），当正的VG被印加给HS侧MOSFET的栅极旌旗灯号时Turn-on，进入同步任务时候（波形图T7）。
在这一系列的开关任务中，HS侧和LS侧MOSFET的VDS和ID变更致使的各类栅极电流活动，造成了与施加旌旗灯号VG差别的VGS变更。
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