【电子精选】准确懂得驱动电流与驱动速率-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2022-02-14
功率器件如MOSFET、IGBT须要驱动电路的共同从而得以普通地任务。图1显现了一个驱动芯片驱动一个功率MOSFET的电路。当M1守旧，M2关掉的时辰，电源VCC经由过程M1和Rg给Cgs，Cgd充电，从而使MOSFET守旧，其充电简化电路见图2。
当M1关断，M2守旧的时辰，Cgs经由过程Rg和M2放电，从而使MOSFET关断，其放电简化电路见图3。
权衡驱动才能的首要目标：驱动电流和驱动速率
权衡一个驱动芯片驱动才能的目标首要有两项：驱动电流和驱动的回升、降落时候。这两项参数在普通驱动芯片规格书中都有标注。而在现实利用中，工程师常常只存眷驱动电流而轻忽回升、降落时候这一参数。
现实上，驱动的回升、降落时候这个目标也一样主要，偶然乃至比驱动电流这个目标还主要。由于驱动的回升、降落时候间接影响了功率器件的守旧、关断速率。
图4显现了一个MOSFET守旧时门极驱动电压和驱动电流的简化时序图。t1到t2这段时候是门极驱动的源电流（IO+）从零起头到峰值电流的成立时候。在t3时辰，门极电压到达米勒平台，源电流起头给MOSFET的米勒电容充电。
在t4时辰，米勒电容充电实现，源电流持续给MOSFET的输出电容充电，门极电压回升直到到达门极驱动的电源电压VCC。同时在t4到t5这个时代，源电流也从峰值电流降到零。
这里有一个很主要的阶段：t1到t2的源电流的成立时候。差别的驱动芯片有差别的电流成立时候，这一成立时候会影响驱动的速率。
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