MOS管、二极管反接掩护电路阐发-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2022-01-13
反接掩护电路：
凡是咱们的电子产物，为避免用户将正负极接反，会对接口做防反接掩护。
比方接口做成梯形或开个缺口，反了不轻易插进，对一些工控类产物，只供给接线端子的体例，固然在外壳和端子上有标识出正负极，但总不免用户呈现粗心粗心的时辰。
是以须要接纳电源反接掩护电路。
1、操纵二极管的反接掩护电路
首要斟酌：二极管的反向耐压值和正向电流值。
1.1 间接串连二极管
错误谬误，有0.7V摆布的压降。 不合适输出电压比拟小的场所
选用肖特基二极管 正向压降更小但电流较大时，功耗丧失较大。 应避免操纵肖特基
操纵肖特基时存在一个潜伏的题目。 它们具备更多的反向电流泄露，是以它们可以或许没法供给充足的掩护，尽可能避免操纵肖特基二极管停止反向掩护。
1.2 并联二极管 无压降 错误谬误：反接时 保险丝会熔断，应选用自规复保险丝。
应注重避免二极管过电流破坏，斟酌操纵功率二极管。
1.3桥式整流 不存在正负极反接的题目，可是有两个的二极管导通，功耗是单一整流二极管的两倍。
1.4反接时 不导通 正向无压降 这个地若何处置
1.5 反接掩护电路
2、加强型MOS管反接掩护： 反接MOS管不会导通
该体例操纵了MOS管的开关特征，节制电路的导通和断开来设想防反接掩护电路，因为功率MOS管的内阻很小，此刻 MOSFET Rds（on）已可以或许做到毫欧级，处理了现有接纳二极管电源防反接计划存在的压降和功耗过大的题目。
极性反接掩护将掩护用处效应管与被掩护电路串连毗连。掩护用处效应管为PMOS场效应管或NMOS场效应管。
若为PMOS，其栅极和源极别离毗连被掩护电路的接地端和电源端，其漏极毗连被掩护电路中PMOS元件的衬底。
如果NMOS，其栅极和源极别离毗连被掩护电路的电源端和接地端，其漏极毗连被掩护电路中NMOS元件的衬底。
一旦被掩护电路的电源极性反接，掩护用处效应管会构成断路，避免电流销毁电路中的场效应管元件，掩护全体电路。
N沟道MOS管经由过程S管脚和D管脚串接于电源和负载之间，电阻R1为MOS管供给电压偏置，操纵MOS管的开关特征节制电路的导通和断开，从而避免电源反接给负载带来破坏。
正接时辰，R1供给VGS电压，MOS饱和导通。反接的时辰MOS不能导通，以是起到防反接感化。
功率MOS管的Rds（on）只要20mΩ现实消耗很小，2A的电流，功耗为（2×2)×0.02=0.08W底子不必外加散热片。处理了现有接纳二极管电源防反接计划存在的压降和功耗过大的题目。
VZ1为稳压管避免栅源电压太高击穿MOS管。NMOS管的导通电阻比PMOS的小，最好选NMOS。
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