【保藏】MOS管防护电路图文详解-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2022-01-13
功率MOS管本身具备浩繁长处，可是MOS管具备较懦弱的蒙受短时过载才能，出格是在高频的利用场所，以是在利用功率MOS管对必须为其设想公道的掩护电路来进步器件的靠得住性。
功率MOS管防护电路首要有以下几个方面：
1）避免栅极 di/dt太高：
由于接纳驱动芯片，其输入阻抗较低，间接驱动功率管会引发驱动的功率管疾速的守旧和关断，有能够造胜利率管漏源极间的电压震动，或有能够造胜利率管蒙受太高的di/dt而引发误导通。
为避免上述景象的产生，凡是在MOS驱动器的输入与MOS管的栅极之间串连一个电阻(R509)，电阻的巨细普通拔取几十欧姆。该电阻能够减缓Rds从无限大到Rds(on)(普通0.1欧姆或更低)。
若不加R509电阻，高压环境下便会由于mos管开关速率过快而致使四周元器件被击穿。
但R509电阻过大则会致使MOS管的开关速率变慢，Rds从无限大到Rds（on）的须要颠末一段时候，高压下Rds会耗损大批的功率，而致使mos管发烧非常。
该电阻上并联的二极管(D507)是在脉冲降落沿时起到对栅极放电的感化，使场效应管能疾速停止，削减功耗。
2）避免栅源极间过电压:
由于栅极与源极的阻抗很高，漏极与源极间的电压渐变会经由过程极间电容耦合到栅极而产生相称高的栅源尖峰电压，此电压会使很薄的栅源氧化层击穿，同时栅极很轻易堆集电荷也会使栅源氧化层击穿，
以是要在MOS管栅极并联稳压管(图中D903)以限定栅极电压在稳压管稳压值以下，掩护MOS管不被击穿，MOS管栅极并联电阻(图中R516)是为了开释栅极电荷，不让电荷堆集，
实测零丁焊接该下拉电阻（R516）仍是缺乏以疾速开释g极电荷，会致使mos管误触发，靠得住的放电电路仍是须要依靠mos管g极->D507->驱动芯片地回路来停止靠得住的放电。
3）防护漏源极之间过电压 :
固然漏源击穿电压VDS普通都很大，但若是漏源极不加掩护电路，一样有能够由于器件开关刹时电流的渐变而产生漏极尖峰电压，进而破坏MOS管，功率管开关速率越快，产生的过电压也就越高。
为了避免器件破坏，凡是接纳齐纳二极管钳位(图中D901)和RC缓冲电路(图中C916，R926)等掩护办法，实测加上稳压管（D901）的结果要比加上RC电路的结果要好，保举先用稳压管测试，可是此处相对不能加tvs，加tvs会致使源极电压举高，gs破坏。
当电流过大或产生短路时，功率MOS管漏极与源极之间的电流会敏捷增添并跨越额外值，必须在过流极限值所划定的时候内关断功率MOS管,不然器件将被烧坏，是以在主回路增添电流采样掩护电路，当电流达到必然值，经由过程掩护电路封闭驱动电路来掩护MOS管。
4）电流采样掩护电路
将颠末mos管的电流经由过程采样电阻采样出来，而后将旌旗灯号缩小，将缩小取得的旌旗灯号和mcu给出的驱动旌旗灯号颠末或门节制驱动芯片的使能，在驱动电流过大时制止驱动芯片输入，从而掩护mos管回路。
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