SiC MOSFET的桥臂串扰按捺体例图解-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2022-01-05
最近几年来，以碳化硅（Silicon Carbide, SiC）MOSFET 为代表的宽禁带半导体器件因其具备高开关频次、高开关速率、高热导率等长处，已成为高频、低温、高功率密度电力电子变更器的抱负挑选。但是跟着SiC MOSFET开关速率加速，桥式电路受寄生参数影响加重，串扰景象加倍严峻。
因为SiC MOSFET 正向阈值电压与负向宁静电压较小，串扰题目引发的正负向电压尖峰更轻易形成开关管误导通或栅源极击穿，进而增添开关消耗，严峻时破坏开关管。
改良按捺桥臂串扰驱动电路的思惟是在串扰发生进程中，经由过程节制三极管开断，使三极管串连电容的赞助歧路为米勒电流供给旁路通道，下降栅极驱动回路阻抗，按捺串扰，同时减小赞助歧路电容对 SiC MOSFET开关特征的影响，其道理图与相干开关波形如图1、图2所示。
图1 改良按捺串扰驱动电路
图2 改良驱动电路相干波形
为了考证改良按捺串扰驱动电路的有用性，本文基于 SiC MOSFET 器件 C2M0080120D，搭建了如图3所示的双脉冲测试尝试平台，并对传统驱动电路、典范按捺串扰驱动电路、改良按捺串扰驱动电路停止了尝试对照。
图4给出了改良按捺串扰驱动电路道理，图4~图6别离给出了驱动电阻为10Ω，输出电压为400V，负载电流为5A时，差别驱动电路的尝试波形。
图3 双脉冲测试尝试平台
图4 传统驱动电路尝试波形
图5 典范驱动电路尝试波形
图6 改良驱动电路尝试波形
差别驱动电路尝试对照成果如表1所示。
表1 差别驱动电路尝试对照成果
所得首要论断以下：
①传统无赞助歧路的SiC MOSFET驱动电路，桥臂串扰景象较着。典范按捺串扰驱动和本文所提改良驱动电路都能有用按捺串扰题目。
②不管是典范按捺串扰驱动电路，仍是本文提出的改良驱动电路，SiC MOSFET开关消耗城市随驱动电阻、输出电压、负载电流的增大而增添；而SiC MOSFET开关延时受输出电压与负载电流影响绝对较小，但也会随驱动电阻的增大而增添。
③比拟典范按捺串扰驱动设想，本文所提改良驱动设想有用下降了开关延时与消耗，且跟着驱动电阻、输出电压、负载电流增大，下降SiC MOSFET开关消耗的结果更较着，进一步申明本文所提体例在按捺串扰和进步开关特征方面更具上风。
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