【图解】利用运算缩小器和MOSFET构建电流负载-KIA MOS管

测试电源和电池须要电流负载，该电流负载能够或许或许或许接收大电流并耗损大批功率。只要利用一个运算缩小器和一个功率MOSFET便能够或许或许构建一个简略而精确的电流负载，如图1所示。

图1这类简略的电流负载和并联的MOSFET可用于更大的电流和功耗。

经由过程以下公式得出经由过程Q1的电流：

能够或许或许经由过程变动参考电压（V REF）轻松节制它。运算缩小器应具备低输出均衡电压，并能够或许或许或许经由过程单电源供电。

若是电路须要能够或许或许或许接收大电流或耗损数十瓦的功率，则能够或许或许利用一个运算缩小器来节制多个并联任务的MOSFET。

可是，简略地并联MOSFET会发生两个不良影响。一方面，导通阈值凡是在晶体管之间（即便是统一型号）也有所差别，并且它们的阈值具备负温度系数。

这象征着起头时每个晶体管中的漏极电流之间能够会有很大的差别，一旦晶体管预热，其阈值就会下降，从而进一步增添电流并使之更热。

为了均衡晶体管电流，能够或许或许增添一个与每个晶体管的源极串连的小电阻器。为使此成果有用，源电阻两头的压降必须与阈值相称，这使其成为很大一局部电压。

成果是均衡电阻会耗散大功率，并且它们两头的压降会耗损到电路能够或许或许任务的最小电压。

成立高电流，高功率负载的更好体例是别离节制每个MOSFET，防止因为阈值扩大而引发的电流不均衡。图2示出了两个并联的这类电路块，但若是须要，能够或许或许增添更多的电路块。

在跳线J1闭合且J2断开的环境下，电路以恒定电流形式任务，总负载电流由下式给出：

若是检测电阻相称（R 2 = R 5 = R S），则总负载电流为：

图2此电流负载道理图利用两个自力节制的MOSFET。

为了丈量总负载电流，咱们须要对每个晶体管的电流乞降，在这类环境下，须要将一切感测电阻器的压降相加。

凡是，这是由一个反相加法器和一个由两个运算缩小器组成的反相器完成的。错误谬误是因为加法器输出真个电压反转，它们须要双极性电源。

本设想展现了一种利用电阻R 7和R 8和仅一个运放的增添电压降的更简略体例。此增添的道理在图3中说明。

N个电阻器中的每个均由一个具备很是低阻抗的电压源驱动，这便是在感测电阻器两头施加的电压降获得的阻抗。

图3该图说了然VOUT处的电压乞降。

若是不电流从VOUT端子罗致，按照基尔霍夫定律，咱们能够或许或许：

对两个检测电阻器，如图2所示，U2A的同相输出真个电压是R 2和R 5两头压降之和的一半。

在经由过程U2A增益为2后，输出电压IMON是两个检测电阻器电压的总和，可用于监督总负载电流。

经由过程并行增添更多根基模块，并经由过程利用带有模块数目的等式3和5，咱们能够或许或许对电路停止扩大，咱们能够或许或许计较总负载电流和经由过程U2A缩小之前的电流检测输出。便利地，一个四运算缩小器可与三个电源模块一路利用。

最初，能够或许或许使电流负载充任恒定电阻，这在测试某些电源时很是有用。

这是经由过程供给一局部负载电压V L作为参考电压来完成的。在跳线J2进入（和J1分开）的环境下，U1A和U1B的同相输出真个电压由V L决议，分压器由R 9和R 10构成，是以负载电流变为：

从这里咱们能够或许或许看到有用的负载电阻R L为：

经由过程调理分压比或用电位计取代R 10，负载电阻能够或许或许从等式7计较得出的标称值（图2中的值为2.55Ω）变为R 10 = 0时的几近无限大。

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