NMOS门电路图文具体阐发-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2021-12-08
（1）电路布局
反相器又称“非”门电路，NMOS反相器如图1所示。图中T1为输入器件也称驱动管；T2的栅极与漏极相联，作为T1漏极的负载电阻，故称负载管。
由于利用集成电路建造工艺来建造一个高阻值的电阻比建造一个MOS管难很多，以是负载电阻经常利用MOS管来取代。
MOS管导通后的导通电阻（漏极与源极之间的电阻）与其跨导gm有关。跨导大的则其导通电阻小。
驱动管T1的跨导较大，普通为100～200μA/V；而负载管T2的跨导较小，普通为5～10μA/V。是以，T2的导通电阻比T1要大很多。
（2）任务道理
当输入端A为1时，T1的栅源电压VGS大于它的开启电压，T1导通。由于T2的栅极与漏极相联并接到正电源VDD上，其栅源电压也必然大于开启电压，T2老是处于导通状况。
又由于T1的导通电阻远比T2的小，其管压降很小，故输入端Y为0。当输入端A为0时，T1的栅源电压低于它的开启电压，T1停止，而T2老是处于导通状况，故输入端Y为1。
2.NMOS“与非”门电路
（1）电路布局
NMOS“与非”门电路如图2所示，此中，T3为负载管，T1和T2相串连，为驱动管。
图1 NMOS“与非”门电路
图2 NMOS“或非”门电路
（2）任务道理
当A，B两个输入端全为1时，T1</FONT>与T2</FONT>两管导通，它们的导通电阻都比负载管的低很多，是以这两个驱动管的管压降都很小，输入端Y为0。
当输入端有一个或全为0时，则串连的驱动管停止，输入端Y为1，这时候与高电平输入审察联的管子构成导电沟道。
3.NMOS“或非”门电路
图2 是NMOS“或非”门电路，T1和T2两个驱动管并联，而后再与负载管T3串连。
当A，B两个输入端全为1或此中一个为1时，则响应的驱动管导通，输入端Y为0。只要当输入端A，B全为0时，T1和T2都停止，输入端Y才为1。这类“或非”逻辑干系可用下式表现：
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