MOSFET正向导通、反向导通等效电路-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2021-11-30
（1）：等效电路
（2）：申明
功率 MOSFET 正向导通时可用一电阻等效，该电阻与温度有关，温度降低，该电阻变大；它还与门极驱动电压的巨细有关，驱动电压降低，该电阻变小。具体的干系曲线可从制作商的手册中取得。
功率MOSFET的反向导通等效电路（1）
（1）：等效电路（门极不加节制）
（2）：申明
即外部二极管的等效电路，可用一电压降等效，此二极管为MOSFET 的体二极管，大都情况下，因其特征很差，要防止利用。
功率MOSFET的反向导通等效电路（2）
（1）：等效电路（门极加节制）
（2）：申明
功率 MOSFET 在门级节制下的反向导通，也可用一电阻等效，该电阻与温度有关，温度降低，该电阻变大；它还与门极驱动电压的巨细有关，驱动电压降低，该电阻变小。
具体的干系曲线可从制作商的手册中取得。此任务状况称为MOSFET 的同步整流任务，是高压大电流输入开关电源中很是主要的一种任务状况。
功率MOSFET的正向停止等效电路
（1）：等效电路
（2）：申明
功率 MOSFET 正向停止时可用一电容等效，其容量与所加的正向电压、情况温度等有关，巨细可从制作商的手册中取得。
功率MOSFET的稳态特征总结
（1）：功率MOSFET 稳态时的电流/电压曲线
（2）：申明
功率 MOSFET 正向饱和导通时的稳态任务点：
当门极不加节制时，其反向导通的稳态任务点同二极管。
（3）：稳态特征总结
-- 门极与源极间的电压Vgs 节制器件的导通状况；当VgsVth时，器件处于导通状况；器件的通态电阻与Vgs有关，Vgs大，通态电阻小；大都器件的Vgs为 12V-15V ，额外值为+-30V；
-- 器件的漏极电流额外是用它的有用值或均匀值来标称的；只需现实的漏极电流有用值不跨越其额外值，保障散热没题目，则器件便是宁静的；
-- 器件的通态电阻呈正温度系数，故道理上很轻易并联扩容，但现实并联时，还要斟酌驱动的对称性和静态均流题目；
-- 今朝的 Logic-Level的功率 MOSFET，其Vgs只需 5V，便可保障漏源通态电阻很小；
包罗寄生参数的功率MOSFET等效电路
（1）：等效电路
（2）：申明
现实的功率MOSFET 可用三个结电容，三个沟道电阻，和一个外部二极管及一个抱负MOSFET 来等效。三个结电容均与结电压的巨细有关，而门极的沟道电阻普通很小，漏极和源极的两个沟道电阻之和即为MOSFET 饱和时的通态电阻。
接洽体例：邹师长教师
接洽德律风：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
接洽地点：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
请搜微信公家号:“KIA半导体”或扫一扫下图“存眷”官方微信公家号
请“存眷”官方微信公家号:供给 MOS管 手艺赞助
免责申明：本网站局部文章或图片来历别的来由，若有侵权，请接洽删除。
