MOS管半桥电路-关头参数计较体例-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2021-11-26
MOS管选型须要知足几个请求：
1.充足的漏-源电压 VDS
2.充足的漏极电流 ID
3.疾速开关的才能和守旧、关断延时
4.低的导通电阻Rds(on)
例：如图，假定该电路输入功率为850W，负载8Ω，MOS管若何选型？
1.Vds电压是几多？
按照P=U*U/R，得出输入的均匀电压U=82V，这是均匀值，须要转化成峰值电压Uo=√2*U=116V。
又由于电源操纵率为85%，以是Vp=Uo/85%=136V。Vn=-136V。以是Vds要大于136*2=272V。
2.ID若何计较？
按照P=I*I*R，得出I=10.3A。
以是MOS管的选型应Vds＞272V，ID＞10.3A。
可开端挑选FDAF59N30，首要目标以下：
1.漏-源电压 VDS=300V
2.漏极电流 ID=34A
3.回升时候ton=140ns
4.关断时候toff=120ns
5.电阻RDS(on) = 0.056Ω
6.栅极电荷Q g =77nc
从上述几大目标来看，该 MOS管的任务电压、电流均知足须要，在较短的守旧和关断迟时候保证了体系的不变性。
MOS管驱动若何挑选？
能够经由过程计较获得MOS管在一个完全开关周期内所须要的功率Pg。
计较公式为：
Pg=Vgs*Qg*fsw，此中Vgs栅极驱动电压，fsw为开关频次。
FDAF59N30在栅极驱动电压为 12V，开关频次为200KHZ时的耗损功率为：
Pg=12*77*10-9*200*103 =0.1848W
驱动须要供给的均匀电流为：
I= Pg/ Vgs=15.4mA。
按照经历，在保障一般任务前提下FDAF59N30的典范守旧和关断时候约为200ns，是以能够反推出驱动须要供给的刹时电流为：
Imax=Qg/t=77nc/200ns=385mA。
以是MOS管驱动须要须要供给的电流大于385mA。
由于这是高压MOS管，以是须要供给浮动栅极驱动才能。
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