开关电源钳位电路图文具体讲授-KIA MOS管

反激中RCD钳位电路的电压阐发

一：如上图红框外面的电路是反激电源的钳位电路，用的RCD钳位，这一个电路在开关电源中很是罕见，能够说此刻市道上的反激大局部是用的这一电路。

设想这个电路的目标是接收反激变压器漏感的能量，限定MOS功率管的最大反向峰值电压。

可是设想的时辰咱们怎样拔取是一个很大的题目，RC接收消耗太重会影响零件的效力，若是RC消耗太轻的就会影响MOS管的电压尖峰，致使尖峰太高MOS管电压应力超。

二：设想RCD接收电路之前，咱们要清晰为甚么须要设想这一电路，目标是甚么。对反激变压器都晓得是有漏感存在的，起首须要晓得漏感是一个甚么。

咱们晓得变压器首要是由低级线圈，次级线圈与磁芯组合而成，它是操纵电磁感到的道理来转变交换电压的一种元器件，抱负的变压器是不消耗的并且不漏磁通，

可是现实中的电感是有消耗与漏磁通，低级线圈所发生的磁通不能都经由进程次级线圈，发生漏磁的电感便是漏感，也便是说在漏感中的能量是不能通报到副边的，

这一局部能量只能在原边，不能通报到副边的这些能量咱们的须要处置，能够经由进程一些电路来接收掉，或是前往到输出母线上去，这就有人会设想所谓的无损接收，可是在现实操纵中比拟庞杂并且EMI不好。

以是大大都都是用RCD消耗掉了，那咱们设想RCD的目标便是把漏感才能接收掉，可是不能把主回路的能量消耗掉，不然会影响零件的效力。要做到这点必须对RC 参数停止优化设想。

三：咱们来阐发下RCD接收的全部进程，

当MOS管守旧的时辰电感电流回升到Ip时MOS管关断，漏感上的才能不能传到副边，这时辰辰辰辰只能经由进程D6给C3充电，把以是的才能都充到C3上，

当C3比拟小的时辰，那末C3上的电压Vc就回升的比拟高，这时辰辰辰辰为了MOS管的应力，咱们能够会加大C3的容量，具体能够经由进程测试现实的波形来判定。

可是，咱们不但愿电容太大，如太大会致使关断的时辰C3上的电压Vc小于反射电压Vr，致使副边反射过去的电压Vr一向在给RCD充电，致使零件效力低。

电容的挑选咱们须要恰好合适咱们MOS管的Vds电压。

咱们的电阻的挑选也不能太小了或太大，若是太小了会致使Q1不守旧前，C3上的电压已掉到了反射电压Vr了，这时辰辰辰辰反射电压Vr又会对RCD充电消耗输出的能量。

电阻值太大会致使咱们在开机与短路的时辰会呈现MOS管电压应力超

咱们如图上的C3上的电压波形3一样，便是关断的时辰电压回升到Vr以上，当MOS管的守旧的时辰C3电容上的电压不降落到Vr，并且当下次守旧的时辰C3上的电压还不掉到0V.这是咱们的最好选。

四：钳位电路上的电阻与电容的挑选。

VDS是MOS管的额外电压，我了留有余量咱们普通都是取MOS管的额度电压的0.9倍。

Vc是RCD上C的电压

Vin-max是输出的最大电压

Vc=0.9VDS-Vin-max

f为开关频次

Ip原边的峰值电流

漏感上的能量都被电容接收，而后都消耗到电阻R1上。

电阻上丧失的功率Pr=Vc^2/R1,现实的电阻须要取2倍的Pr

漏感直达过去的能量WR=Wlr1+Wlr*Vr/（Vc-Vr）

转换胜利率便是Pr=1/2*f*Lr*Ip^2{1+Vr/（Vc-Vr）}

Vc^2/R1=1/2*f*Lr*Ip^2{1+Vr/（Vc-Vr）}

R1=2(Vc-Vr)*Vc/(Ip^2*f*Lr)

钳位电容C3的取值

△V普通取Vc的5%-10% ,

C3≥Vc/（△V*R1*f）

在电阻与电容选定后，现实的电路中还须要测试看是否是咱们须要的值。

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