MOSFET在同步整流驱动的利用图解-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2021-11-16
以下图一为传统的次级整流电路，该电路利用快规复或肖特基二极管停止整流，快规复二极管的VF普通为0.7V-1V，肖特基二极管的VF也有0.2V-0.3V，在电流比拟大时，二极管大将发生很大的消耗，Po=VF*IF。
图一 利用二极管的次级电流电路
图二为利用MOSFET作为整流管时的电路，由于MOSFET的导通电阻Rds(on)的压降要比二极管的正向压降VF低的多，比方AON6230(VDS=40V，Rds(on)=1.44mΩ )，假定电流为20A，Duty=60%，则
Po=IF2*Rdson*D=20*20*1.44*1.3*0.6=448mV（此处假定MOSFET的结温为100℃），此时MOSFET的消耗比利用肖特基二极管时要低良多。
图二 利用MOSFET的次级整流电路
如图三，二极管的特征曲线和MOSFET导通时的伏安特征曲线可知，只要在必然的电流规模内，同步整流（SR）的效力才会优于二极管。
当电流高于这一数值时，MOSFET的消耗反而会高于二极管，这是由于此时MOSFET的温度很高，致使Rds(on)很大。
同步整流电路根据MOSFET的驱动体例分为主动驱动体例（self-driven）和IC驱动体例（IC-driven）。
主动驱动体例的驱动旌旗灯号间接来自变压器的次级，其驱动线路如图四所示，该电路布局简略，可是错误谬误也很是较着，起首由于SR的驱动电压与输出电压成反比，在输出电压较高时，很难保障Vgs的耐压，并且次级绕组的漏感也能够会影响驱动电压。
其次，负载较轻进入不持续电流形式（DCM）时，能够会有反向电流流过次级绕组、SR、MOSFET到地，反向电流是很是风险的，很能够致使MOSFET生效。
IC驱动体例经由过程漏源电压检测，完成对MOSFET开关的节制，这类驱动体例处理良多自驱动存在的题目，死区时候得以切确节制，并且轻载时能够防止呈现反向电流。
图四 自驱动电路布局
图五 IC驱动电路布局
次级利用MOSFET停止同步整流，一方面由于MOSFET具备很是低的Rds(on)，如许就带来极低的conduction loss。
另外一 方面，SR MOSFET任务在ZVS状况，开关消耗很是小，以下图六所示，MOSFET开启之前，体二极管已导通续流，以是是零电压守旧。
以下图七所示， MOSFET关断以后，电流转而流向体二极管，Vds电压 -间靠近于零，以是是零电压关断。
图六 SR MOSFET turn on波形
图七 SR MOSFET turn off波形
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