PMOS过压掩护电路道理图及阐发-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2021-11-02
VB:蓄电池电压电源
V18_PTB5: MCU IO口，收回高电平使VB_PMOS电压输入有用，TTL电平
VB_PMOS：颠末PMOS掩护电压输入
VB_P_PROT：经二极管反向掩护的PMOS输入电压
PMOS过压掩护电路道理图
电路功效：若节制器中利用loaddump掩护电压小于46V的器件，能够利用此电路模块中的计划为这些器件供给过压掩护，出格是在load dump环境下。
Pspice仿真阐发:摹拟的是典范环境下的颠末TVS管按捺后的Load dump电压曲线，能够较着看出当VB>36V时，稳压管起头起感化，敏捷封闭Q411和PMOS管。
只需过压旌旗灯号一向存在，PMOS管就会一向坚持关断状况，直至VB跌落回36V宁静电压之内。
绿色、白色曲线别离对应为VB_P_PROT，VB
稳压管取值:Accuracy为稳压管的精度，VZ 是稳压管在25℃下的标称值，SZ是稳压管的温度系数，△T是温度变更，即T-25℃， Vz’’(max)是最坏环境下的稳压值。
若须要Q410导通，点A电压须要650mV，即便疏忽R411下面的电压，点B的电压也要最少有650mV，若是呈现最卑劣的工况，D410的稳压值呈现41.964V的环境，那末，VB的电压最少也得有42.65V。
这时候，某些须要掩护的器件能够已生效，电路没法到达预期成果。以是倡议利用36V的稳压管。可是，36V稳压管在高温-40℃时，有能够会提早任务，即35V下就会使Q410举措。
PMOS参数计较
按照计较，
Rth(j-a)*Pmax=Tj(max)-Ta,
Pmax=1.8W
ID(max) 2* Rds(on) =Pmax
ID(max)=10.95A
受PMOS掩护的Vbat电源负载电流不能跨越10.95A
ISO7637尝试考证
i. 实验前提：Us=30V；Ua=27V；Ri=5.5Ohm；Td=350mS；Pload=10w
ii. 实验成果：电路功效状况一般
iii. 实验电路监测点及实验成果波形以下图
接洽体例：邹师长教师
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