IGBT尖峰电压接收电路图文详解-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2021-10-15
关断IGBT时因为电感中贮存有能量，集电极-发射极间会产生浪涌电压。缓冲电路能够或许按捺施加在IGBT上的过电压和关断消耗的增添。这是因为缓冲电容器能够或许分管关断时的一局部能量。务必安妥处置电容器所接收的能量。
RCD 缓冲电路：
关断开关时贮存的能量 : 1/2?LiC2
e+＝ L?diC/dt
若是Cs能够或许完整接收L的能量
1/2?LiC2＝1/2?Cs?Δe2
即建立，是以
Δe＝ i0×√L/Cs
RCD缓冲电路的消耗：
把缓冲电路装置在每一个IGBT上比装置在直流母线和地线之间更有用。
可是，存在Rs上消耗较大的题目。Rs上的消耗是LiC2与开关频次的乘积，L为0.2μH、iC为100A、开关频次为10kHz时消耗为20W。
此时，在3相桥路电路中，仅缓冲电路的消耗就有120W。能够或许经由过程控下降频次或向电源再生能量来削减消耗。
为了下降Δe，起首减小L（主电路的散布电感）尤其主要。Cs随电感变小而变小。
Vs是（配线电感）×-dic/dt、Ds的正向规复电压和（Cs的散布电感）×-dic/dt的总和。
下述要点能够或许使缓冲电路更有用。
以更低的-dic/dt为驱动前提驱动IGBT。（下降IGBT的关断速率）
减小主电路配线的电感。为此想法将电源（电解）电容器放在尽能够接近IGBT模块的地位，利用铜板配线，实行分层安排等。
缓冲电路也应放在模块的四周，Cs应接纳薄膜电容器等频次特征好的元件。
Ds利用正向导通压降小，反向软规复型超疾速二极管。
接洽体例：邹师长教师
接洽德律风：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
接洽地点：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
请搜微信公家号:“KIA半导体”或扫一扫下图“存眷”官方微信公家号
请“存眷”官方微信公家号:供给 MOS管 手艺赞助
