轻松处置反激开关管的Vds电压尖峰题目-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2021-10-13
起首来看看MOS应力公式：（抱负化处置，不影响论断）
Vds=Vin+n*Vo+Vspike
=Vin+n*Vo+Ipk*（Lk/C1）0.5
这里两个首要参数的意思：
1、Lk是变压器漏感（现实还应包罗PCB寄生电感）；
2、C1为RCD钳位电容（现实还应包罗MOS DS两头的电容，普通远小于C1，故疏忽）。
下降开关管Vds电压尖峰--如图：
对大师碰着的开关管Vds电压尖峰题目，90%以上能够接纳图中的体例处置，不再为电压尖峰懊恼。
针对本文总结：
1、本文目标是针对反激开关管的Vds电压尖峰题目停止定性阐发，从而为下降此尖峰供给指点标的目的，并不是要去计较它。
能够良多人，不晓得其的庞杂，都但愿用公式计较，这里是很难切确计较的，由于影响身分太多，要计较也须要做一些假定和处置。
2、按照上图，信任能够处置大局部Vds尖峰电压题目。
3、若是图中接纳的体例还处置不掉，就须要加倍细化，能够接纳以下几个整改标的目的：
A、layout走线优化（功率回路尽能够短，使pcb电感尽能够小；同时也注重RCD的走线，这里除会影响尖峰，也会影响传导的高频段和辐射）；
B、调剂RCD中的D；（须要从头确认效力、传导、辐射）
C、调剂RCD中的R；（须要从头确认效力、传导、辐射）
D、普通Rsense到IC CS pin都有个RC，调剂RC时候常数；（须要从头确认过功率点）
E、调剂副边二极管的接收参数。（须要从头确认效力、传导、辐射）
按照图一，加上以上的体例，根基上能够处置一切电压尖峰题目。
对反激的大局部利用，用600V的MOS就够了。固然了，有特别请求，若有较大裕量请求的，能够就要用更高耐压的MOS了，但普通对效力倒霉。
实测的MOS Vds的波形：
图一：尖峰电压1>尖峰电压2
图二：尖峰电压1<尖峰电压2
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