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低内阻250V50A KNX3725A参数材料 ​MOS管原厂送样-KIA MOS管

信息来历:本站 日期:2021-09-24 

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低内阻250V50A KNX3725A参数材料 MOS管原厂送样-KIA MOS管


低内阻250V50A KNX3725A参数材料

低内阻250V50A KNX3725A特点:

专有新立体手艺

RDS(ON),typ.=45mΩ@VGS=10V

低栅极电荷最小化开关消耗

疾速规复体二极管


低内阻250V50A KNX3725A利用范畴:

1、DC-DC转换器

2、开关电源和机电节制

3、其余


低内阻250V50A KNX3725A参数材料

型号:KNX3725A

任务体例:50A/ 250V

漏源电压:250V

门源电压:±20

延续泄电流:50A

单脉冲雪崩能量:1250MJ

峰值二极管规复dv/dt:5.0V/ns

操纵和贮存温度规模:-55℃至150℃

漏源击穿电压:250V

输入电容:4000pF

输入电容:510pF

反向转移电容:255pF

漏源二极管正向电压:1.5V

持续漏源电流:50A

脉冲漏源电流:200A

反向规复时候:185ns


低内阻250V50A KNX3725A封装图


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MOS管原厂:

KIA半导体专业制作MOS管,给客户供给优胜的售后手艺办事及后期的收费送样等。

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