MOS管参数中的EAS剖析|一看就懂-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2021-09-24
EAS指的是单脉冲雪崩能量。
在雪崩的时辰，flyback产生的电压会跨越额外电压值，因为这个时辰的break voltage大于额外电压。
若是电压过冲值(凡是因为泄电流和杂散电感形成)未跨越击穿电压，则器件不会产生雪崩击穿，是以也就不须要消失雪崩击穿的才能。
雪崩击穿能量标定了器件能够容忍的刹时过冲电压的宁静值，其依靠于雪崩击穿须要消失的能量。
界说额外雪崩击穿能量的器件凡是也会界说额外EAS。额外雪崩击穿能量与额外UIS具备近似的意思。EAS标定了器件能够宁静接收反向雪崩击穿能量的凹凸。
L是电感值，iD为电感下流过的电流峰值，其会俄然转换为丈量器件的漏极电流。电感上产生的电压跨越MOSFET击穿电压后，将致使雪崩击穿。
雪崩击穿产生时，即便 MOSFET处于关断状况，电感上的电流一样会流过MOSFET器件。电感上所贮存的能量与杂散电感上存储，由MOSFET消失的能量近似。
MOSFET并联后，差别器件之间的击穿电压很难完整不异。凡是环境是：某个器件领先产生雪崩击穿，随后一切的雪崩击穿电流(能量)都从该器件流过。
EAS和EAR的界说
EAs单脉冲雪崩击穿能量,EAs标定了器件能够宁静接收反向雪崩击穿能量的凹凸。
若是电压过冲值(凡是因为泄电流和杂散电感形成)未跨越击穿电压，则器件不会产生雪崩击穿，是以也就不须要消失雪崩击穿的才能。
雪崩击穿能量标定了器件能够容忍的刹时过冲电压的宁静值，其依靠于雪崩击穿须要消失的能量。
EAR频频雪崩能量，标定了器件所能蒙受的频频雪崩击穿能量。
上图(a)开关电源中的雪崩任务波形。在MOSFET停止时约有300V的打击电压加在漏极和源极之间，并呈现振铃。
上图(b)对时候轴停止了缩小，由图能够清晰的看出因为栅极电压降落，管子停止，ID减小的同时VDS降低并在295V处VDS电压波形呈现平顶(钳位)。
这类电压被钳位的景象便是雪崩状况，以是当功率MOSFET产生雪崩时，漏源极电压幅值会被钳位至有用击穿电压的程度。
图1所示为开关电源中典范的雪崩波形。源泄电压(CH3) 被胁迫在1kV,并能看到经整流的电流(CH4)。
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