MOS管利用-双电源主动切换电路阐发-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2021-09-13
大局部电子产物都配有锂电池，在不外接电源的时辰，利用锂电池停止供电；当外接电源的时辰，利用内部电源供电，同时对锂电池充电。
是以请求电路必须具有能够或许按照是不是接有内部电源，而主动挑选响应供电电源的才能。
罕见的简略电源切换电路如图1所示，但这个电路利用前提是无限制和缺点的，
比方电池电压VBAT不能大于内部电压VIN，罕见的电池电压为3.7~4.2V，内部电压为USB的5V时不题目，可是电池电压为7.2V就不能利用了；
肖特基二极管的压降固然已较小，可是照旧有零点几伏摆布，丧失的功耗较多，5V内部电压出去就只变成4V多了；
内部电压供电时，会经由过程P型MOS管的体二极管给电池停止非正轨充电，固然这点能够经由过程将Q4 MOS管摆布翻转一下处理。
为了处理上述这些缺点，名目中有时会利用较为庞杂的改良电路，如图2所示。
其任务道理简介以下：利用内部电源VIN时，三极管Q7导通，三极管Q6停止，P型MOSFET Q3因为栅极和源极经由过程电阻R4都接了电池电压VBAT，二者相称，Q3停止，电池电压VBAT没法达到输入端VCC；
内部电源VIN接通时，VIN起首经由过程Q1 MOSFET的寄生二极管达到输入端VCC，同时Q2三极管导通，使Q1 MOSFET的栅极拉低到GND为低电平，
以是Q1的栅源极电压小于0且达到导通阈值电平，Q1导通，而后Q1体内的寄生二极管就停止了，内部电源VIN经由过程Q1达到输入端VCC。
此时，Q5 MOSFET的栅源极电压靠近相称，Q5和体二极管均停止，避免了内部电源VIN对电池的非正轨充电。
当不内部电源VIN时，三极管Q7停止，三极管Q6导通，Q3 MOSFET的栅极电压为低电平，栅源电压小于0且达到导通阈值电平，Q3导通，而后经由过程Q5的寄生二极管达到输入端VCC，
而Q5的栅极此时为低电平，是以栅源电压也小于0，Q5导通，其寄生二极管停止，电池电压达到输入端VCC。
因为电源主通路利用了三个MOSFET，MOSFET在完整导通后其压降远远小于肖特基二极管（只要零点零几伏），是以其导通消耗很低；
而三个三极管固然额定增添了一些功率消耗，可是因为三极管任务在完整饱和状况，在饱和导通压降必然的前提下，导通电流能够经由过程电阻值设置的绝对较小，是以功耗也不会太高。
同时该电路不管电池电压是不是大于内部电源，都能够利用，通用性绝对较为普遍。
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