MOS管反向二极管感化详细剖析-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2021-09-10
MOS管电路图中的反向二极管甚么感化？
如图所示，P-Base与Source电极相连。反向电流能够从Source流入P-Base，经由过程PN结（P-Base/N-Dift）流入Drain。
这个PN结便是MOSFET中的Body diode。其感化是导通电感负载传导来的反向电流（ H-bridge，half bridge or many other bridges）。
值得注重的是，当P-Base与Source电极相连能够禁止parasitic NPN transistor的构成（N+／P-Base／N-Drift），使MOSFET任务在可控的状况。
Body diode的感化在良多环境下相称于Freewheeling diode(反向二极管),详细的利用限定则按照MOSFET的布局设想而有所差别 (maximum current rating, maximum blocking voltage, reverse recovery behavior)。
下图是二极管开关特征
p-channel MOSFET:
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