120V130A低内阻MOS管 KNX2912A参数 封装TO263 原厂送样-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2021-09-06
KNX2912A，接纳进步前辈的沟槽手艺，供给超卓的RDS(导通)、低栅极电荷。可用于多种利用。
VDS=120V,ID=130A RDS(ON)（typ.)=6.0mΩ@ VGS=10V
低rdson的高密度电池设想
充实表现了雪崩电压和电流的特征
具备杰出的不变性和平均性
封装机能良好,散热机能好
电源切换利用
硬开关和高频电路
不中断电源
KIA半导体是一家努力于功率半导体电子元器件研发与发卖的高新手艺型企业，真挚办事环球开关电源、绿色照明、机电驱动、汽车电子、新动力充电桩、太阳能装备、数码家电、安防工程等行业持久协作火伴，自动领会客户需要，不时研发立异，为客户供给绿色、节能、高效的功率半导体产物。
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