热插拔MOSFET瞬态温升预算剖析-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2021-09-03
本文分享预算热插拔MOSFET温升的简略体例。热插拔电路用于将电容输出装备拔出通电的电压总线时限制浪涌电流。
如许做的目标是避免总线电压降落和毗连装备运转间断。经由过程利用一个串连组件逐步耽误新毗连电容负载的充电时候，热插拔器件能够实现这项任务。成果，该串连组件具备庞大的消耗，并在充电事务发生时代发生温升。
大大都热插拔装备的制作厂商都倡议查阅宁静任务地区 (SOA) 曲线，以便装备免受过应力侵害。
图 1 所示 SOA 曲线显现了可接受能量地区和装备功耗，其一般为一个很是激进的估量。MOSFET的首要忧愁是其结温不应超越最大额外值。
该曲线以图形的情势标明，因为装备散热电容的存在它能够处置长久的高功耗。如许能够赞助开辟一个切确的散热模子，以停止加倍激进、实际的预算。
图 1 MOSFET SOA 曲线标明了许可能耗的肇端点
咱们将增添散热与电容之间的摹拟电路。若是将热量加到大批的资料当中，其温升能够按照能量 (Q)、品质 (m) 和比热 (c) 计较获得，即：
表 1 列出了一些罕见资料及其比热和密度，其也许有助于建模热插拔器件外部的散热电容。
表 1 罕见资料的物理属性
只要经由过程预算建模的各类体系组件的物理尺寸，便可获得散热电容。散热才能即是组件体积、密度和比热的乘积。如许便能够利用图 2 所示的模子布局。
该模子以左上角一个电流源作为起头，其为体系增添热量的摹拟。电流流入裸片的热容及其热阻。
热量从裸片流入引线框和封装灌封资料。流经引线框的热量再流入封装和散热片之间的打仗面。热量从散热片流入热情况中。遍布全部收集的电压代表高于情况的温升。
图 2 将散热电容加到 DC 电气摹拟
热阻和热容的大略预算显现在全部收集中。该模子能够停止情况和 DC 摹拟，可赞助按照制作厂商供给的 SOA 曲线图停止一些激进计较。
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