高压小功率MOS管KIA30N06B 60V25A参数 原厂现货-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2021-09-02
KIA半导体是一家努力于功率半导体电子元器件研发与发卖的高新手艺型企业，真挚办事环球开关电源、绿色照明、机电驱动、汽车电子、新动力充电桩、太阳能装备、数码家电、安防工程等行业持久协作火伴，自动领会客户需要，不时研发立异，为客户供给绿色、节能、高效的功率半导体产物。
KIA30N06B是极高电池密度的最高机能沟槽N-ch MOSFET ,它为大大都同步BUCK变更器的利用供给了良好的Rdson和栅电荷。KIA30N06B知足RoHS和绿色产物要求，100%的EAS保障了全数功效的靠得住性。
RDS(on) =25mΩ@ VDS=60V
进步前辈的高密度沟槽手艺
超低端滑盖装
良好的CDV/dt效应递加
100% EAS保障
绿色的可用装备
高频点同步降压变更器
收集化DC-DC电源体系
负荷开关
产物型号：KIA30N06
任务体例：25A/60V
漏流电压：60V
栅源电压（持续）：±20V
持续泄电流：25A
脉冲漏极电流：50A
雪崩能量：22.6A
热电阻：62℃/W
漏源击穿电压：60V
温度系数：0.063V/℃
栅极阈值电压：12V
输入电容：1345 PF
输入电容：72.5 PF
回升时候：14.2 ns
封装情势：TO-251、TO-252
KIA本着“联袂客户，立异设想，配合晋升，办事市场”的理念，等候在您的鼎力撑持下，使KIA成为MOSFET器件范畴的优异mos管品牌。
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