mos在节制器电路中的任务状况：开颠末程（由停止到导通的过渡进程）、导通状况、关断进程（由导通到停止的过渡进程）、停止状况。Mos首要消耗也对应这几个状况，开关消耗（开颠末程和关断进程），导通消耗，停止消耗（泄电流引起的，这个疏忽不计），另有雪崩能量消耗。只要把这些消耗节制在mos蒙受规格以内，mos即会一般任务，超出蒙受规模，即爆发破坏。

而开关消耗经常大于导通状况消耗（差别mos这个差异能够很大)。
Mos破坏首要启事：  过流----------延续大电流或刹时超大电流引起的结温太高而销毁；
过压----------源漏过压击穿、源栅极过压击穿；静电----------静电击穿。CMOS电路都怕静电； Mos开关道理（简要）。Mos是电压驱动型器件，只要栅极和源级间给一个得当电压，源级和漏级间通路就组成。这个电流通路的电阻被成为mos内阻，便是导通电阻。这个内阻巨细根基抉择了mos芯片能蒙受的最大导通电流（固然和别的因素有关，最有关的是热阻）。内阻越小蒙受电流越大（因为发烧小）。

Mos题目远没这么简略，费事在它的栅极和源级间，源级和漏级间，栅极和漏级间MOS管三个极外部都有等效电容。以是给栅极电压的进程便是给电容充电的进程（电容电压不能渐变），以是mos源级和漏级间由停止到导通的开颠末程受栅极电容的充电进程限定。

可是，这三个等效电容是组成串并联组合干系，它们彼此影响，并不是自力的，假定自力的就很简略了。此中一个关头电容便是栅极和漏级间的电容Cgd，这个电容业界称为米勒电容。这个电容不是恒定的，随栅极和漏级间电压变更而疾速变更。这个米勒电容是栅极和源级电容充电的绊脚石，因为栅极给栅-源电容Cgs充电到达一个平台后，栅极的充电电流必需给米勒电容Cgd充电，这时候候候栅极和源级间电压不再下降，到达一个平台，这个是米勒平台（米勒平台便是给Cgd充电的进程），米勒平台大师起首想到的费事便是米勒振荡。（即，栅极先给Cgs充电，到达必然平台后再给Cgd充电）因为这个时候源级和漏级间电压疾速变更，外部电容响应疾速充放电，这些电流脉冲会导致mos寄生电感发生很大感抗，这外面就有电容，电感，电阻组成震动电路（能组成2个回路），并且电流脉冲越强频次越高震动幅度越大。以是最关头的题目便是这个米勒平台若何过渡。

Gs极加电容，减慢mos管导通时候，有助于减小米勒振荡。避免mos管销毁。过快的充电会导致狠恶的米勒震动，但过慢的充电虽减小了震动，但会耽误开关从而增添开关消耗。Mos开颠末程源级和漏级间等效电阻相称于从无穷大电阻到阻值很小的导通内阻（导通内阻通俗高压mos只要几毫欧姆）的一个改变进程。比方一个mos最大电流100a，电池电压96v，在开颠末程中，有那末一刹时（刚进入米勒平台时）mos发烧功率是P=V*I(此时电流已达最大，负载还不跑起来，统统的功率都下降在MOS管上)，P=96*100=9600w！这时候候候它发烧功率最大，而后发烧功率疾速下降直到无缺导通时功率变成100*100*0.003=30w（这里假定这个mos导通内阻3毫欧姆）。开关进程中这个发烧功率变更是惊人的。

假定守旧时候慢，象征着发烧从9600w到30w过渡的慢，mos结温会下降的凶悍。以是开关越慢，结温越高，轻易烧mos。为了不烧mos，只能下降mos限流或下降电池电压，比方给它限定50a或电压下降一半成48v，如许开关发烧消耗也下降了一半。不烧管子了。这也是高压控轻易烧管子启事，高压节制器和高压的只要开关消耗不一样（开关消耗和电池端电压根基成反比，假定限流一样），导通消耗无缺受mos内阻抉择，和电池电压没任何干系。实在全部mos开颠末程很是庞杂。外面变量太多。总之便是开关慢不轻易米勒震动，但开关消耗大，管子发烧大，开关速率快实际上开关消耗低（只要能有用遏止米勒震动），可是经常米勒震动很凶悍（假定米勒震动很严重，能够在米勒平台就烧管子了），反而开关消耗也大，并且上臂mos震动更有能够引起下臂mos误导通，组成高低臂短路。以是这个很磨练设想师的驱动电路布线和主回路布线身手。终究便是找个均衡点（通俗开颠末程不超出1us）。

守旧消耗这个最简略，只和导通电阻成反比，想大电流低消耗找内阻低的。上面介绍下对通俗用户合用点的。 Mos挑选的首要参数简要申明。以datasheet举例申明。  栅极电荷。Qgs， Qgd  Qgs:指的是栅极从0v充电到对应电流米勒平台时总充入电荷（实际电流差别，这个平台高度差别，电流越大，平台越高，这个值越大）。这个阶段是给Cgs充电（也相称于Ciss，输出电容）。  Qgd:指的是全部米勒平台的总充电电荷（在这称为米勒电荷）。这个进程给Cgd（Crss，这个电容跟着gd电压差别疾速变更）充电。

开关过冲中，mos首要发烧区间是粗白色标注的阶段。从Vgs初步超出阈值电压，到米勒平台结束是首要发烧区间。此中米勒平台结束后mos根基无缺掀开这时候候候消耗是根基导通消耗（mos内阻越低消耗越低）。阈值电压前，mos不掀开，几近没消耗（只要泄电流引起的一点消耗）。此中又以白色拐弯中间消耗最大（Qgs充电快要结束，快到米勒平台和刚进入米勒平台这个进程发烧功率最大（更粗线表现）。 以是必然充电电流下，白色标注区间总电荷小的管子会很快度过，如许发烧区间时候就短，总发烧量就低。以是实际上挑选Qgs和Qgd小的mos管能疾速度过开关区。导通内阻。Rds（on）。这个耐压必然环境下是越低越好。不过差别厂家标的内阻是有差别测试前提的。测试前提差别，内阻测量值会不一样。

统一管子，温度越高内阻越大（这是硅半导体资料在mos制作工艺的特征，修改不了，能稍改良）。以是大电流测试内阻会增大（大电流下结温会明显下降），小电流或脉冲电流测试，内阻下降（因为结温不大幅下降，没热储蓄积累）。有的管子标称典范内阻和你本身用小电流测试几近一样，而有的管子本身小电流测试比标称典范内阻低良多（因为它的测试规范是大电流）

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