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50A60V内阻低 MOS管KIA50N06 参数材料 原厂价钱-KIA MOS管

信息来历:本站 日期:2021-08-24 

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50A60V内阻低 MOS管KIA50N06产物特点

RDS(on) =10.5m@ VGS =10V

供给无铅绿色装备

低Rds开启,可将传导消耗降至最低

高雪崩电流


50A60V内阻低 MOS管KIA50N06产物利用

电源

不中断电源

电池办理体系


50A60V内阻低 MOS管KIA50N06参数

任务体例:50A/60V

漏源极电压:60V

栅源电压:±25

脉冲泄电流:250A

雪崩电流:15A

雪崩能量:120MJ

最大功耗:88W/44W


MOS管KIA50N06封装图



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KIA半导体是一家努力于功率半导体电子元器件研发与发卖的高新手艺型企业,真挚办事环球开关电源、绿色照明、机电驱动、汽车电子、新动力充电桩、太阳能装备、数码家电、安防工程等行业持久协作火伴,自动领会客户需要,不时研发立异,为客户供给绿色、节能、高效的功率半导体产物。

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