开关MOSFET的栅极驱动消耗图文阐发-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2021-08-24
功率开关MOSFET的栅极驱动相干的消耗，即下图的高边和低边开关的“PGATE”所示局部。
栅极电荷消耗
栅极电荷消耗是由该例中外置MOSFET的Qg（栅极电荷总量）引发的消耗。
当MOSFET开关时，电源IC的栅极驱动器向MOSFET的寄生电容充电（向栅极注入电荷）而发生这类消耗（参见下图）。
这不只是开关电源，也是将MOSFET用作功率开关的利用中共同面对的切磋事变。
消耗是MOSFET的Qg乘以驱动器电压和开关频次的值。Qg请参考所利用的MOSFET的手艺规格书。驱动器电压或实测，或参考IC的手艺规格书。
从该公式能够看出，只需Qg不异，则开关频次越高消耗越大。
从供给MOSFET所需的VGS的角度看，驱动器电压不会因电路或IC而有太大差别。MOSFET的选型和开关频次因电路设想而异，是以，长短常首要的切磋事变。
为了确保与其余局部之间的分歧性，这里给出了开关的波形，但不表现栅极电荷消耗的地方。
关头要点：
1.栅极电荷消耗是由MOSFET的Qg（栅极电荷总量）引发的消耗。
2.若是MOSFET的Qg不异，则消耗首要取决于开关频次。
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