低内阻MOS管 KNX3302A 参数20V85A 原厂收费送样-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2021-08-12
KIA3302A接纳进步前辈的沟道手艺，以供给超卓的RDS（ON）、低栅极电荷和栅电压低至2.5V。
该器件合用于各类利用场所。
R DS(on) =3.9mΩ@ V DS =4.5V
高功率和电流处置才能
取得无铅产物
外表贴装组件
电池掩护
负荷开关
电源办理
产物型号：KIA3302
任务体例：85A/20V
漏源电压：20V
栅源电压：±12A
泄电留连续：85A
脉冲漏极电流：340A
雪崩能量：340mJ
耗散功率：87W
漏源击穿电压：20V
栅极阈值电压：0.5V
输入电容：2800PF
输入电容：353PF
回升时候：49ns
封装情势：TO-251、252
KIA半导体是一家努力于功率半导体电子元器件研发与发卖的高新手艺型企业，真挚办事环球开关电源、绿色照明、机电驱动、汽车电子、新动力充电桩、太阳能装备、数码家电、安防工程等行业持久协作火伴，自动领会客户需要，不时研发立异，为客户供给绿色、节能、高效的功率半导体产物。
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