600V9.5A MOS管KIA10N60H 产物材料 原厂好价-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2021-07-01
KIA10N6OHN沟道加强型硅栅功率MOSFET合用于高电压、高速功率开关如高效开关电源、有源功率因数校订、基于半桥到全桥的电子灯镇流器等。
1、RDS(on)=0.6Ω@VGS=10V
2、低栅电荷（典范的44nc)
3、疾速切换才能
4、雪崩能量指定值
5、加强的dv/dt才能
产物型号：KIA10N60H
任务体例：9.5A/600V
漏源极电压:600V
栅源电压:±30V
泄电留连续:9.5A/5.7A
峰值二极管规复:4.5V/ns
结温:+150℃
储存温度:-55℃至150℃
以下为KIA10N60H产物PDF格局的产物具体材料，检查概况请点击下图。
接洽体例：邹师长教师
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