NMOS高端驱动自举电路图文分享-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2021-06-30
VCC颠末二极管D2、电容C2、电阻R1到地，以是加载在电容C2两头的电压约为14V。
图1电容自举驱动NMOS电路
（1） 当V1输入高电日常平凡，Q1、Q4导通，B通道输入高电平，Q2停止，C通道输入高电平，Q3导通，D通道输入高电平48V，因为C2两头电压14V，以是Q3的导通使电容抬升了VDD的电压，
即电容C2的正极电压位62V摆布，颠末三极管Q4、二极管D1达到Q3的栅极，电容C2起到了自举抬升电压的感化，使Q3延续导通。
（2） 当V1输入低电日常平凡，Q1、Q4停止，B通道输入低电平，Q2导通，Q2的导通为Q3的栅极供给放电电路（栅极电压经由过程Q2、电阻R1放电），使得电容C2的负极电压靠近0V，即D通道输入低电平。
图2 电容自举驱动NMOS电路仿真
图3 MOSFET驱动电路
（1） 当V1=V2=5V时，Q1、Q4导通，Q2停止，VCC颠末D2、Q4、D1、R4达到Q3的栅极，Q3导通；Q6、Q7停止，Q8导通，Q8的导通为Q5的栅极供给放电回路，Q5停止；
（2） 当V1=V2=0V时，Q1、Q4停止，Q2导通，Q2的导通为Q3的栅极供给放电回路放电电流颠末Q2、Q5到地；Q6、Q7导通，Q8停止，VCC颠末Q7、电阻R1达到Q5的栅极，Q5导通。
现实利用中，坚持V1、V2同相能够防止高低管同时导通。
图4推挽驱动NMOS电路
（1） 当V1=3.3V时，Q3导通，P1为低电平，使得Q2停止、Q4导通，Q4的导通为Q1的栅极供给放电回路，P2为低电平，Q1停止。
（2） 当V1=0V时，Q3停止，电阻R2将P1钳位在高电平，使得Q2导通、Q4停止，Q2的导通为Q1的栅极供给充电电路，P2为高电平，Q1导通。
图5 推挽驱动NMOS电路仿真
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