半导体器件型号定名体例|超具体！-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2021-06-24
一、 半导体器件型号由五局部（场效应器件、半导体特别器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号定名只要第三、四、五局部）构成。五个局部意思以下：
第一局部：用数字表现半导体器件有用电极数量。
2-二极管、3-三极管
第二局部：用汉语拼音字母表现半导体器件的资料和极性。
表现二极管时： A -N型锗资料、 B -P型锗资料、 C -N型硅资料、 D -P型硅资料。
表现三极管时： A -PNP型锗资料、 B -NPN型锗资料、 C -PNP型硅资料、 D -NPN型硅资料。
第三局部：用汉语拼音字母表现半导体器件的内型。
P-通俗管、 V-微波管、 W-稳压管、 C-参量管、
Z-整流管、 L-整流堆、 S-地道管、 N-阻尼管、
U-光电器件、 K-开关管、
X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、
G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W)、
D-低频大功率管（f<3MHz,Pc>1W)、
A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W)、
T-半导体晶闸管（可控整流器）、 Y-体效应器件、 B-雪崩管、
J-阶跃规复管、 CS-场效应管、 BT-半导体特别器件、 FH-复合管、
PIN-PIN型管、 JG-激光器件。
第四局部：用数字表现序号
第五局部：用汉语拼音字母表现规格号
比方：3DG18表现NPN型硅资料高频三极管
日本出产的半导体分立器件，由五至七局部构成。凡是只用到前五个局部，其各局部的标记意思以下：
第一局部：用数字表现器件有用电极数量或范例。
0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具备两个pn结的其余器件、3- 具备四个有用电极或具备三个pn结的其余器件、┄┄依此类推。
第二局部：日本电子产业协会JEIA注册标记。
S-表现已在日本电子产业协会JEIA注册挂号的半导体分立器件。
第三局部：用字母表现器件利用资料极性和范例。
A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P节制极可控硅、 G-N节制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N 沟道场效应管、M-双向可控硅。
第四局部：用数字表现在日本电子产业协会JEIA挂号的挨次号。
两位以上的整数-从“11”起头，表现在日本电子产业协会JEIA挂号的挨次号；差别公司 的机能不异的器件能够利用统一挨次号；数字越大，越是近期产物。
第五局部： 用字母表现统一型号的改良型产物标记。
A、B、C、D、E、F表现这一器件是原型号产物的改良产物。
美国晶体管或其余半导体器件的定名法较紊乱。美国电子产业协会半导体分立器件定名体例以下：
第一局部：用标记表现器件用处的范例。
JAN-军级、JANTX-特军级、JANTXV-超特军级、JANS-宇航级、（无）-非军用品。
第二局部：用数字表现pn结数量。
1-二极管、2=三极管、3-三个pn结器件、n-n个pn结器件。
第三局部：美国电子产业协会（EIA）注册标记。
N-该器件已在美国电子产业协会（EIA）注册挂号。
第四局部：美国电子产业协会挂号挨次号。
多位数字-该器件在美国电子产业协会挂号的挨次号。
第五局部：用字母表现器件分档。
A、B、C、D、┄┄统一型号器件的差别档别。
如：JAN2N3251A表现PNP硅高频小功率开关三极管，JAN-军 级、2-三极管、N-EIA 注册标记、3251-EIA挂号挨次号、A-2N3251A档。
德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国度和匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国度，多数接纳国际电子结合会半导体分立器件型号定名体例。这类定名体例由四个根基局部构成，各局部的标记及意思以下：
第一局部：用字母表现器件利用的资料。
A-器件利用资料的禁带宽度Eg=0.6~1.0eV 如锗、
B-器件利用资料的Eg=1.0~1.3eV 如硅、
C-器件利用资料的Eg%26gt;1.3eV 如砷化镓、
D-器件利用资料的Eg%26lt;0.6eV 如锑化铟、
E-器件利用复合资料及光电池利用的资料。
第二局部：用字母表现器件的范例及首要特点。
A-检波开关混频二极管、
B-变容二极管、
C-低频小功率三极管、
D-低频大功率三极管、
E-地道二极管、
F-高频小功率三极管、
G-复合器件及其余器件、
H-磁敏二极管、
K-开放磁路中的霍尔元件、
L-高频大功率三极管、
M-封锁磁路中的霍尔元件、
P-光敏 器件、
Q-发光器件、
R-小功率晶闸管、
S-小功率开关管、
T-大功率晶闸管、
U-大功率开关管、
X-倍增二极管、
Y-整流二极管、
Z-稳压二极管。
第三局部：用数字或字母加数字表现挂号号。
三位数字-代表通用半导体器件的挂号序号、一个字母加二位数字-表现公用半导体器件的挂号序号。
第四局部：用字母对统一范例号器件停止分档。A、B、C、D、E┄┄表现统一型号的器件按某一参数停止分档的标记。
除四个根基局部外，偶然还加后缀，以区分特征或进一步分类。罕见后缀以下：
1、稳压二极管型号的后缀。厥后缀的第一局部是一个字母，表现不变电压值的允许偏差规模，字母A、B、C、D、E别离表现允许偏差 为±1%、±2%、±5%、±10%、±15%；厥后缀第二局部是数字，表现标称不变电压的整数数值；后缀的第三局部是字母V，代表小数点，字母V以后的 数字为稳压管标称不变电压的小数值。
2、整流二极管后缀是数字，表现器件的最大反向峰值耐压值，单元是伏特。
3、晶闸管型号的后缀也是数字，凡是标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的阿谁电压值。 如：BDX51-表现NPN硅低频大功率三极管，AF239S-表现PNP锗高频小功率三极管。
欧洲有些国度，如德国、荷兰接纳以下定名体例。
第一局部：O-表现半导体器件
第二局部：A-二极管、C-三极管、AP-光电二极管、CP-光电三极管、AZ-稳压管、RP-光电器件。
第三局部：多位数字-表现器件的挂号序号。
第四局部：A、B、C┄┄表现统一型号器件的变型产物。
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