MOS管KIA18N50H 500V18A材料 原厂现货 价钱上风-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2021-06-21
KIA18N50H 是N沟道加强型硅栅功率MOSFET是为高功率器件设想的。电压、高速功率开关利用，如高效开关电源，功率因数校订。
RDS(on)=0.25Ω@VGS=10V
低栅电荷
疾速切换才能
进步了dv/dt才能
任务体例：18A/500V
漏源电压：500V
栅源电压:±30V
脉冲泄电流:72A
峰值二极管规复dv/dt:4.5V/ns
输入电容：2500pF
输入电容：400pF
延续漏源电流：18A
检查及下载规格书，请点击下图。
KIA半导体的产物涵盖产业、新动力、交通运输、绿色照明四大范畴，不只包含光伏逆变及无人机、充电桩、这类新兴动力，也触及汽车配件、LED照明等家庭用品。
KIA专一于产物的邃密化与改革，力图为客户供给最具行业抢先、品德上乘的科技产物。
从设想研发到制作再到仓储物流，KIA半导体真正完成了一体化的办事链，真正做到了办事细节全到位的品牌内在，咱们努力于成为场效应管（MOSFET）功率器件范畴的领跑者，为了这个方针，KIA半导体正在延续立异，永不止步！
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