MODFET的根基道理

调制搀杂场效应晶体管(modulatiorri-doped field effcct transistorJ．MODFET)为异质布局的场效应器件．其余经常使用到的称号有高电子迁徙率晶体管(high electron mobility lran-sistor．HEMT)、二维电子气场效应晶体管(two-dimensional electron gas field-effect tran-sistor．TEGFET)

图7，1、6为传统MODFET的透视图．MODFET的特点是栅极下方的异质结布局和调制搀杂层，对图7：．16中的器件来讲．AIGaAs为一宽禁带半导体，而GaAs则为窄禁带半导体．这两种半导体是被调制搀杂的，也便是说，除在极窄的地区如中并无搀杂外

AIGaAs是被搀杂的，而GaAs glil未破搀杂．AIGaAs中的电子将分散到无搀杂的GaAs中.