MOS管并联均流题目及注重事变-KIA MOS管

MOS管并联均流影响

跟着电力电子手艺的敏捷成长，MOS管以其高频机能好、开关消耗小、输出阻抗高、驱动功率小、驱动电路简略等长处在高频感到加热电源中获得了普遍的利用。可是，MOS管容量的无限同样成了亟待处理的题目。

从现实上讲，MOS管的扩容能够经由过程串连和并联两种体例来完成，现实利用中考虑到其导通电阻RDS(on)具备正温度系数的特色，多接纳多管并联来增添其功率传导才能。

1.影响MOS管并联均流的身分

在MOS管多管并联时，器件外部参数的细小差别就会引发并联各歧路电流的不均衡而致使单管过流粉碎，严峻环境下会粉碎全部逆变装配。影响并联均流的身分包含外部参数和核心线路参数。

2.外部参数对并联均流的影响

影响功率MOSFET并联均流的外部参数首要有阈值电压VTH、导通电阻RDS(on)、极间电容、跨导gm等。外部参数差别会引发静态和静态不均流。

是以，要尽可能拔取同型号、同批次并且外部参数分离性较小的MOSFET加以并联。

3.核心线路参数对并联特征的影响

MOSFET并联利用时，除外部参数外，电路规划也是一个关头性的题目。在频次高达MHz级环境下，线路杂散电感的影响不容轻忽，引线所处电路地位的差别和长度的很小变更城市影响并联开关器件的机能。

影响功率MOSFET并联均流的外电路，参数首要包含：栅极去耦电阻Rg、栅极引线电感Lg、源极引线电感Ls、漏极引线电感Ld等。在多管并联时必然要尽可能使并联各歧路的Rg及对应的各引线长度不异。

MOS管在并联均流的注重事变：

不管在守旧，关断，导经由过程程中流过MOS管，电流城市让MOS督任务在宁静区内，MOS管宁静感化得保障。MOS管并联均流手艺，能够保障MOS督任务在宁静任务区内，可进步并联电路任务靠得住性。

1.守旧Td(on)与关断提早时候td(off)：

守旧回升、关断降落时候，在统一驱动脉冲感化下，守旧、关断、回升、降落差别 ，引发MOS管守旧或关断时辰差别，引发先守旧或后关断的MOS 管流过全部回路电流，此时电流偏大，不限定，对MOS 管宁静任务形成要挟。

2.开启电压VGSth

统一驱动脉冲感化，开启电压差别，引发MOS管守旧时候差别，引发先守旧MOS管先流过全部回路电流，现在电流很大，应当限定，不而后对MOS管宁静任务形成要挟；

3.驱动极回路驱动输出电阻，等效输出电容，等效输出电感，城市形成引发MOS管守旧或判定时候差别；

4.饱和压降VDs或导通RDSon

一切并联MOS管，导通压降是不异的，饱和电压小MOS管先流过较大电流，结温升高，MOS管压降增大，流过MOS管压降大MOS管电流又会增大，致加重MOS管压降小MOS督任务压力。

N沟道功率型MOS管饱和压降VDs或导通电阻RDSon有正温度特征，合适并联。

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