MOS管静态功耗图文剖析(计较教程）-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2021-06-01
以下图所示的NMOS反相器，此刻要计较其静态功耗。
当输出旌旗灯号为高电日常平凡，NMOS闭合，可是又不是一个抱负的开关，以是有开关电阻RON。
以是，当输出为高电日常平凡，静态功耗为下图所示：
当输出为低电日常平凡，此时NMOS是抱负的断开，此时电路以下图所示。
由于电路中不电流，以是功耗为0。
以是对本有NMOS组成的反相器而言，静态功耗为：
当疏忽掉该直流导通电阻RON时，则静态功耗为：
若何懂得mosfet静态功耗低，三极管功耗为甚么又比mos管功耗高，速率比mos管慢？
功耗是由于三极管做开关时，要一个Ib保持。而mos管是压控device，根基上不耗损电流。
速率是由于，mos管压控时，得等大gate上电荷堆集到vth后，电路才导通；而三极管是电流节制，导通时候比mos管的小的多。
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