剖析三极管、MOS管节制有甚么区分？-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2021-06-01
常常看到在利用单片机I/O口驱动MOS管时，不是利用单片机I/O口间接驱动，而是颠末一级三极管，利用三极管驱动MOS管。
三极管和MOS管在驱动上是有区分的，三极管是电流驱动，而MOS管是电压驱动，三极管的基极驱动电压只需高于Ube的死区电压便可节制三极管导通，
硅资料三极管的死区电压普通为0.6V，锗资料三极管的死区电压普通为0.3V，以是节制三极管的电压对硅资料的三极管来讲只需高于0.6V摆布便可，而对锗资料的三极管来讲只需高于0.3V摆布便可。
而MOS管就不一样了，MOS管是电压型驱动，其驱动电压必须高于其死区电压Ugs的最小值能力导通，差别型号的MOS管其导通的Ugs最小值是差别的，
普通为3V~5V摆布，最小的也要2.5V，但这也只是方才导通，其电流很小，还处于缩小区的肇端阶段，普通MOS管到达饱和时的驱动电压需6V~10V摆布。
领会三极管和MOS管在节制上的区分以后，那末单片机I/O口怎样节制三极管和MOS管呢？
单片机普通接纳5V或3.3V供电，其I/O口高电平为5V或3.3V，处置器普通讲求低功耗，现在利用3.3V供电的单片机较多，以是其I/O口高电平也只需3.3V。
（1）3.3V的电压充足能够驱动三极管，三极管属于电流驱动，按照I/O口的电压VIO和限流电阻R1的值能够推算出基极电流，
Ib=（VIO-0.6V）/R1，挑选差别的电阻R1阻值，能够转变基极电流，只需VIO大于0.6V，想要使三极管任务在饱和区都能够，下图为简略的NPN三极管节制LED唆使灯的道理。
（2）MOS管是电压驱动，MOS管开启最低驱动电压为3V~5V摆布，差别型号MOS管驱动电压差别，一些小功率MOS管最低驱动电压为2.5V摆布，单片机I/O口能够间接驱动，
可是此时MOS管处于半导通状况，内阻很大，驱动小电流负载能够这么利用。大电流负载就不能够这么利用了，内阻大，管子的功耗过大，很轻易销毁MOS管。
MOS管到达饱和状况所需驱动电压普通为6V~10V摆布，3.3V的电压缺乏以间接驱动MOS管使其饱和。是以，能够在I/O口的输入端加一级三极管，使MOS管的驱动电压变高。举例申明，仅供参考，道理以下图所示。
道理阐发：当单片机I/O口为高电日常平凡，NPN三极管Q5导通，间接将N-MOS管节制极G极拉低，MOS管停止，负载不任务；
当单片机I/O口为低电日常平凡，NPN三极管Q5停止，电阻R12和R13将24V电源分压得G极电压为：24V*20K/（10K+20K）=8V，MOS管导通并到达饱和状况，负载任务。
总结：三极管为电流驱动，较低的电压就能够驱动三极管，而MOS管为电压驱动，驱动电压较高，单片机I/O口的电压缺乏以驱动MOS管，以是常常利用三极管作为缓冲转变电压，固然除利用三极管以外还能够利用光耦等。
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