MOS管耐压特征和对栅极电荷的影响-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2021-04-26
功率比拟小的单管变更器的主开关凡是接纳MOS管，其长处是电压型节制，驱动功率低，低电压器件中MOS管的导通压降和开关速率是最好的。
测试耐压用示波器的高压探头测试。详细测试MOS的D-S（漏极接+，源极接GND），把示波器调到直流档，看最大值和峰峰值（这二者中的最大值需知足请求）。
MOS管的耐压对导通电阻的影响：MOS管的耐压程度由芯片的电阻率和厚度决议，而MOS管是大都载流子导电器件，芯片电阻坦白接影响器件的导通电阻。
凡是MOS管的导通电阻随耐压的2.4~2.6次方增添。如1000V耐压是30V耐压的33.3倍，而一样大的芯片的导通电阻将变成33.3^(2.4~2.6)，约莫为6400倍！
若是还想坚持导通电阻的根基稳定就须要更大的管芯面积，如许不只增添了封装尺寸，并且价钱也将较着回升。
如TO-220封装的耐压为400V的IRF740型MOS管的导通电阻为0.55欧，而导通电阻附近的耐压为500V的IRF450型MOS管（导通电阻为0.4欧）则须要TO-247封装。耐压仅仅相差100V，封装尺寸增添近1倍。
一样以TO-220封装的IRF系列MOS管为例，IRF640、IRF740、IRF840、IRFBC40的耐压别离为200V、400V、500V、600V，导通电阻为0.18欧、0.55欧、0.8欧、1.2欧；25度时的额外电流为28A、18A、10A、8A、6.2A。因而可知耐压对导通电阻的影响是很大的。
开关变更器中MOS管的开关速率现实上是受驱动电路的驱动才能影响，很少会因驱动电路的驱动才能多余而MOS管的速率或本身特征限定了开关速率。
MOS管的电荷量是影响开关速率的最首要身分。比方100nC的栅极电荷用100mA的电流将其布满或放尽，须要的时候为1us，而30nC的电荷则仅须要300ns的时候。
或是在不异的驱动时候，则驱动电流能够降落为30mA。现实上决议MOS管的开关速率的身分是栅-泄电荷（Qgd），也便是MOS管从导通转换到关断或从关断转换到导经由过程程中超出“缩小区”所须要的电荷“米勒电荷”。
以IRF740系列的MOS管为例，740:32nC;740A:16nC。能够看到即便统一型号，颠末改良后栅极电荷能够减小。
可是若是不是一代的MOS管，则栅极电荷较小的更较着，以IRFP450和ST公司的STW14N50比拟，成果是前者的栅极电荷75nC,尔后者则为28nC,几近是1/3。
如许或对驱动才能的请求随之下降到1/3或开关速率快2倍。
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