若何遴选高频电源MOS管？-KIA MOS管

高频电源MOS管

MOS管最罕见的利用能够或许或许是高频开关电源中的开关元件，别的，它们对电源输入也大有裨益。办事器和通讯装备等利用普通都设置装备摆设有多个并行电源，以撑持N+1冗余与延续任务。各并行高频开关电源均匀分管负载，确保体系即便在一个电源呈现毛病的情况下依然能够或许或许延续任务。

不过，这类架构还须要一种体例把并行电源的输入毗连在一路，并保障某个电源的毛病不会影响到别的的电源。在每一个电源的输入端，有一个功率MOS管能够或许让众电源分管负载，同时各电源又相互断绝。

起这类感化的MOS管被称为"ORing"FET，由于它们实质上是以"OR"逻辑来毗连多个电源的输入。

用于针对N+1冗余拓扑的并行高频开关电源节制的MOS管。

在ORingFET利用中，MOS管的感化是开关器件，可是由于办事器类利用中电源不中断任务，这个开关现实上一直处于导通状况。其开关功效只阐扬在启动和关断，和电源呈现毛病之时。

比拟处置以开关为焦点利用的设想职员，ORingFET利用设想职员明显必需存眷MOS管的差别特征。以办事器为例，在普通任务时代，MOS管只相称于一个导体。是以，ORingFET利用设想职员最关怀的是最小传导消耗。

低RDS(ON)可把BOM及PCB尺寸降至最小。

普通而言，MOS管束造商接纳RDS(ON)参数来界说导通阻抗;对ORingFET利用来讲，RDS(ON)也是最主要的器件特征。

数据手册界说RDS(ON)与栅极(或驱动)电压VGS和流经开关的电流有关，但对充实的栅极驱动，RDS(ON)是一个绝对静态参数。

若设想职员试图开辟尺寸最小、本钱最低的电源，低导通阻抗更是更加的主要。

在电源设想中，每一个电源经常须要多个ORingMOS管并行任务，须要多个器件来把电流传递给负载。在很多情况下，设想职员必须并联MOS管，以有效下降RDS(ON)。

需服膺，在DC电路中，并联电阻性负载的等效阻抗小于每一个负载零丁的阻抗值。比方，两个并联的2Ω电阻相称于一个1Ω的电阻。是以，普通来讲，一个低RDS(ON)值的MOS管，具有大额外电流，就能够或许让设想职员把电源中所用MOS管的数量减至起码。

除RDS(ON)以外，在MOS管的挑选进程中还有几个MOS管参数也对电源设想职员很是主要。很多情况下，设想职员应当紧密亲密存眷数据手册上的宁静任务区(SOA)曲线，该曲线同时描写了漏极电流和漏源电压的干系。

根基上，SOA界说了MOS管能够或许或许宁静任务的电源电压和电流。在ORingFET利用中，重要题目是：在"完整导通状况"下FET的电流传递才能。现实上无需SOA曲线也能够或许取得漏极电流值。

若设想是完成热插拔功效，SOA曲线或许更能阐扬感化。在这类情况下，MOS管须要局部导通任务。SOA曲线界说了差别脉冲时代的电流和电压限值。

注重方才提到的额外电流，这也是值得斟酌的热参数，由于一直导通的MOS管很轻易发烧。

别的，日渐降低的结温也会致使RDS(ON)的增添。MOS管数据手册划定了热阻抗参数，其界说为MOS管封装的半导体结散热才能。RθJC的最简略的界说是结到管壳的热阻抗。

细言之，在现实丈量中其代表从器件结(对一个垂直MOS管，即裸片的上外表四周)到封装外外表的热阻抗，在数据手册中有描写。若接纳PowerQFN封装，管壳界说为这个大漏极片的中间。

是以，RθJC界说了裸片与封装体系的热效应。RθJA界说了从裸片外表到四周情况的热阻抗，并且普通经由过程一个脚注来表明与PCB设想的干系，包含镀铜的层数和厚度。

开关电源中的MOS管

此刻让咱们斟酌开关电源利用，和这类利用若何须要从一个差别的角度来审阅数据手册。

从界说上而言，这类利用须要MOS管按期导通和关断。同时，稀有十种拓扑可用于开关电源，这里斟酌一个简略的例子。

DC-DC电源中常用的根基降压转换器依靠两个MOS管来履行开关功效(图)，这些开关瓜代在电感里存储能量，而后把能量开释给负载。今朝，设想职员经常挑选数百kHz甚至1MHz以上的频次，由于频次越高，磁性元件能够或许更小更轻。

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