二极管单向导电性完成防反接掩护剖析-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2021-04-21
凡是环境下直流电源输出防反接掩护电路是操纵二极管的单向导电性来完成防反接掩护。以下图1示：
图1. 二极管型防反接掩护电路
这类接法简略靠得住，但当输出大电流的环境下功耗影响长短常大的。
以汽车HID安靖器为例，安靖器的输出电流额外值到达8A,如选用Onsemi的疾速规复二极管 MUR3020PT，额外管压降为1V，那末功耗最少也要到达：Pd＝8A×1V＝8W，如许会对安靖器的效力和散热有很大影响，不实际意思。
现实操纵中二极管防反接电路普通接纳图2的接法，这类防反接电路的长处是电路简略，本钱较低，无消耗，但电源反接后二极管导通会烧保险，反接后须要跟换保险管，凡是在车载电台电路中有接纳，条件是装备中必然要配有熔断器。
图2.二极管型防反接掩护电路操纵（二）MOS管型防反接掩护电路
是以本安靖器是操纵了MOS管的开关特征，节制电路的导通和断开来设想防反接掩护电路，因为功率MOS管的内阻很小，此刻HOMSEMI MOSFET Rds（on）已可以或许做到毫欧级，处理了现有接纳二极管电源防反接计划存在的压降和功耗过大的题目。详细电路如图3示。
图3. MOS管型防反接掩护电路
MOS管经由过程S管脚和D管脚串接于电源和负载之间，电阻Rg为MOS管供给电压偏置，操纵MOS管的开关特征节制电路的导通和断开，从而避免电源反接给负载带来破坏。
现实利用HOMSEMI 的HS50N06功率MOS管的Rds（on）只要20mΩ现实消耗很小，底子不必外加散热片。处理了现有采用二极管电源防反接计划存在的压降和功耗过大的题目。
图4.MOS管型防反接掩护电路在HID氙灯电源（凡是叫安靖器）中的现实操纵
本文首要针对汽车总线对HID安靖器的直流供电局部停止防反接掩护及热插拔电路的设想，该设计既知足了电源体系靠得住性和可掩护性等方面的请求，同时本钱也很低，实在用性和不变性已由过程体系考证。
在汽车上，常常一条线束包裹着十几支乃至几十支电线，密密层层使人难以分清它们的走向，加上电是看不见摸不着，是以汽车电路对很多人来讲，是很庞杂的工具。
如许，在电路上电或带电插拔安靖器时，普通会产生很大的启动电流和电压动摇，这些景象将影响装备的一般工作，乃至致使全部体系的侵害。
一样当12(24)V直流输出电源非常而产生正负反接的环境，为防止安靖器破坏，凡是请求安靖器带有防反接掩护电路。
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