三相全桥MOS管驱动电路调试记实-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2021-04-15
未接入全桥时，电流转电压丈量波形包罗噪声，周期约为17us摆布，幅值为120mV摆布，振荡周期约为1.3us摆布，以下图所示。
颠末运放缩小10倍后的波形中噪声削弱，预测是由于运放外部的频带限定使高频噪声衰减，同时预测该高频噪声来自于开关电源。
接入MOS管并且插手24V电压后，IR2136的输入驱动电压如图所示：
测试法式：A相的高低MOS管以10ms导通时候瓜代导通；B相与C相都锁定不导通。
低端MOS管如图黄色通道1所示，导通完整一般；但是高端MOS管在导通靠近2ms后就间接封闭，今朝缘由尚不清晰。
与上图对应的A相桥臂输入波形如图所示：
可见高端MOS管的导通与上图的驱动波形绝对应。
后续使命：
浏览IR2136芯片数据手册，弄清自举驱动芯片的详细任务道理，并弄清晰导通时候的受影响因素。
增添测试：减小瓜代导通时候为2ms摆布，察看MOS管桥臂的导通环境。
能够是由于自举电容充电时增添了限流电阻
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