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MOSFET的FT,若何界说?FT计较-KIA MOS管

信息来历:本站 日期:2021-04-14 

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MOSFET的FT,若何界说?FT计较-KIA MOS管


MOSFET-FT界说

在MOS源极和漏极接交换地时,器件的小旌旗灯号电流增益降至1的频次称为:“transit frequency”(fT)


FT计较

MOS的小旌旗灯号模子以下:


MOSFET FT


输入电流Iin(ω):

MOSFET FT


(1)

输入电流Iout(ω):

MOSFET FT


(2)

电流增益:

MOSFET FT


(3)

低频时,gm>>ωCgs

MOSFET FT


(4)

高频时,gm<<ωCgs

MOSFET FT


(5)

咱们让(4)式即是1,能够求出ωt (注: FT=ωt/2π)

MOSFET FT


(6)

按照gm抒发式, 用Vgs替代掉式(6)中的gm

MOSFET FT


(7)

把(7)带入(6)获得:

MOSFET FT


(8)

影响身分

按照式(8),能够晓得–增大Vgs能够增大FT–减小沟道L会增大FT

进一步说: 按照式(6)

–增大偏置电流能够增大FT(FT:∝电流的平方根)

–当偏置电流恒定,减小沟道的L能够增大FT[FT∝L^(-3/2)]


注重

–FT不受S端和D端结电容的影响。

–FT不受RG的影响,且仍即是上面(6)给出的值。


PS: 小尺寸MOS管FT条记

FT随过驱动而增添,但跟着垂直电场减小了迁徙率变而平。上面绘制的是NMOS器件的fT,此中W / L = 5μm/ 40 nm VDS = 0.8 V.


MOSFET FT




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