二极管及MOS管的反向掩护电路分享-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2021-04-08
设想电路时，偶然候会发明电路板上的芯片俄然有轻轻烧焦的气息，这有能够或许是反向电流的开玩笑。出格是设想便携式的电子产物，若是一不谨慎，电池的反向毗连对便携式产物能够或许是致命的，会有破坏电路或电池自身的风险。
是以，为了防止反向电流的突袭，除能够或许操纵机器式掩护来确保电池的准确极性的毗连外，反向电流掩护的电路设想也不容轻忽。在电路设想方面，咱们可操纵以下3种罕见的体例来能够或许防止反向电流 -二极管、MOS管和负载开关。
二极管
操纵二极管是最简略且最自制的反向电流掩护体例，罕见例子是操纵二极管与电池串连毗连一路。在挑选二极管时, 以下一些参数须要出格寄望：
最高反向任务电压
加在二极管两头的反向任务电压高到必然值时，管子将会击穿，落空单领导电能力。为了保障操纵宁静，划定了最高反向任务电压。比方，1N4001二极管反向耐压为50V，1N4007的反向耐压为1000V。是以，操纵时应防止二极管外加的反向任务电压太高。
反向电流
反向电流是指二极管在划定的温度和最高反向电压感化下，流过二极管的反向电流。反向电流越小，管子的双方领导电机能越好。
反向电流与温度紧密亲密相干，约莫温度每下降10℃，反向电流有能够或许增大一倍。硅二极管比锗二极管在低温下具备较好的不变。
反向规复时候
从正向电压变成反向电压时，电流普通不能刹时停止，要提早一点点时候，这个时候便是反向规复时候。它间接影响二极管的开关速率。
比方咱们以下图的网站为例，能够或许按照差别二极管范例及设想参数的请求，挑选适合的二极管。
可是操纵二极管也有错误谬误，便是输入大电流的环境下对功耗影响会很是大。比方畅通的电流额外值到达2A时，对大部份经常使用的二极管来讲，它们的正向压降将Vcc的限定在0.6V-0.8V。那末功耗（Pd）最少也要到达：
如许大大增添了体系整体的功耗，效力也会下降。
是以有些设想职员甘愿挑选肖特基二极管以削减正向压降，但须要注重的是：它们较高贵，并且会有较多的反向电流泄露的题目。
MOS管 (MOSFET)
因为MOS管的内阻很小，一些MOS管的 Rds（on）已能够或许做到毫欧级，能够或许处理了基于二极管的反向电流掩护计划中存在的压降和功耗过大的题目。
以下所示，操纵2个MOS管面对面地毗连是一个不错的处理计划。当2个MOS管封闭，它们能够或许阻断两个标的目的电流的畅通。与二极管的处理计划比拟，MOS管能够或许撑持更低的电源压降供给给负载。可是，若是要完成这类计划，须要多个元器件共同，使得电路会在电路板上占用更多的空间。
负载开关
与MOS管一样，负载开关可在封闭时禁止两个标的目的上的电流（以下图设想）。
如TI的TPS22963C负载开关，是一个小型集成封装，其具有一些根基功效：输入电压、输入电压、开关和接地。如许的设想，大大削减了电路在电路板上占用的空间和BOM数目。
操纵TPS22963C能够或许掩护电路免被反向电流侵袭。当ON引脚关掉器件，并且VOUT被强迫为内部电压输入后，只要很是少许的电流将从VOUT流向VIN。
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