场效应管门极驱动电路剖析-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2021-03-23
场效应管门极驱动电路图
场效应管门极驱动电路-（1)间接驱动
电阻R1的感化是限流和按捺寄生振荡，普通为10ohm到100ohm,R2是为关断时供给放电回路的;稳压二极管D1和D2是掩护MOS管的门]极和源极;二极管D3是加快MOS的关断。
（2)互补三极管驱动
当MOS管的功率很大时，而PWM芯片输入的PWM旌旗灯号缺乏已驱动MOS管时，加互补三极管来供给较大的驱动电流来驱动MOS管。
PWM为高电日常平凡，三极管Q3导通,驱动MOS管导通;PWM为低电日常平凡，三极管Q2导通，加快MOS管的关断;电阻R1和R3的感化是限流和按捺寄生振荡，普通为10ohm到100ohm,R2是为关断时供给放电回路的;二极管D1是加快MOS的关断。
（3)耦台驱动(操纵驱动变压器耦合驱动)
当驱动旌旗灯号和功率MOS管不共地或MOS管的源极浮地的时辰，比方Buck变更器或双管正激变更器中的MOS管，操纵变压器停止耦合驱动如右图:
驱动变压器的感化:
1.处理驱动MOS管浮地的题目;
2.处理PWM旌旗灯号与MOS管不共地的题目;
3. 一个驱动旌旗灯号能够分红两个驱动旌旗灯号;
4.削减搅扰。
接洽体例：邹师长教师
接洽德律风：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
接洽地点：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
请搜微信公家号:“KIA半导体”或扫一扫下图“存眷”官方微信公家号
请“存眷”官方微信公家号:供给 MOS管 手艺赞助
