MOS管栅极反并联二极管及MOS管并联实际-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2021-03-17
常常会看到MOS驱动电路中栅极电阻会反并联一个二极管。
MOS利用在半桥电路中的环境出格多，而半桥电路请求高低管具备死区时候，能够由于之前电子手艺还不够进步前辈，节制芯片没法天生互补的带死区时候的PWM旌旗灯号，只能经由过程MOS“慢开快关”来天生死区。
在栅极电阻上反并联二极管就完成了MOS的疾速关断。
别的，大功率MOS普通用在不跨越200V的高压场所（固然很早就有600V摆布的高压MOS，用在小功率的开关电源中），并且普通不接纳负压驱动。
驱动芯片普通也不会有米勒钳位功效。要按捺米勒电容引发的寄生导通只能经由过程增添栅极电容或减小关断状况下的栅极回路阻抗，是以反并联二极管对按捺寄生导通有一定感化。
(1)、晶体管具备负的温度系数，即当温度降低时，导通电阻会变小。
(2)、MOS管具备正的温度系数，即当温度降低时，导通电阻会逐步变大。
比拟于晶体管，MOS管的特征加倍合适并联电路中的均流，是以当电路中电流很大时，普通会接纳并联MOS管的体例来停止分流。
接纳MOS管停止电流的均流时，当此中一起电流大于另外一起MOS管中的电流时，电流大的MOS管发生的热量多，从而引发导通电阻的增大，削减流过的电流；
MOS管之间按照电流巨细的差别来频频调理，最初可完成两个MOS管之间的电流平衡。
注：晶体管也能够经由过程并联来完成大电流的畅通，可是此时须要经由过程在基极串接驱动电阻来处理各个并联晶体管之间的电流平衡题目。
晶体管(MOS管)并联注重事变：
(1)、各个晶体管(MOS管)的基极(栅极)不能间接相连，要别离串接驱动电阻停止驱动，以防止振荡。
(2)、要节制各个晶体管(MOS管)的开启时候和关断时候坚持分歧，由于若是不分歧，先开启的管子或后关断的管子会因电流过大而击穿破坏。
(3)、为了以防万一，最好在各个晶体管(MOS)管的发射极(源极)串接均流电阻，固然这并非强迫选项。
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