一些不错的场效应管功放电路图分享-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2021-03-08
场效应管多管并联输出，500W。
场管跟普功率最大差别便是场管是用电压驱动，在驱动级上有些不一样，音质怎样样要看设想和工艺。
IRFB33N15D，其导通内阻低达56mΩ，最大电流为33A，耐压却有150V，常常使用于DC/DC的变更器中，在数字功放中，也常常利用。
其也有缺乏的处所，其输出电容为2020pF，和罕见的MOS管一样，在驱动它时，就要接纳特别电路来驱动，犹如电路中的R29和D3并联电路，也是业界习用手段，其感化是：
当不R29时，Q7的栅极间接接后面的IC引脚，其内部都是图腾柱电路，因为是容性负载，城市有振荡发生，从而使驱动波形呈现振铃景象，发生的后时是，MOS管开启不够，内阻大，效力低。
串入R29可以或许消弭这类振荡，其和后续的MOS管输出电容（Ciss）的时辰常数要远小于MOS管的开启时辰13ns，而4.7Ω的2020pF的时辰常数为9.5nS，知足请求。
IRFB33N15D用规范电路（相称于R29为3.6Ω）驱动时，其规复时辰长达130nS，这也是MOS管的通病，为了加快关断（争夺这9.5nS的时辰），在关断时，但愿栅级电阻为0，以是会在R29上反向并联肖特基二极管D3（其任务频次可以或许近GHz），来加快放电。
IRFB33N15D的VGS在3.0V至5.5V之间，现实驱动时，取决于IRS2902S的任务电压，现实都在10V摆布，肖特基二极管D3的正向压降只要1.2V摆布（电流1A，但其ΔV/ΔI约为0，静态内阻极低），已可以或许确保Q7和栅极处于低于VGS以下，对关断不影响。要学习静态内阻的寄义，犹如电源，其压降可以或许是5V，但其内阻可以或许低达十几毫欧。
这个电路里的两颗场效应管不能同时导通，以是，在它们任务的时辰，要关断优先，导通稍缓。D3，D4二极管就可以或许在驱动电压降落的时辰，敏捷开释场效应管的栅极结电压，从而使管子从导通状况规复到关断状况的时辰大大延长。
而驱动电压回升的时辰，要经由过程R29，R27给管子的栅极结电容充电，从而延缓了管子的导通时辰。 就如许完成了关断优先，导通稍缓的功效，大大的防止了一个管子还没加入导通，另外一个管子已进入导通的状况。
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