MOS管等效模子图文剖析-KIA MOS管
信息来历：本站 日期：2021-03-05
MOS管比拟于三极管，开关速率快，导通电压低，电压驱动简略，以是愈来愈受工程师的喜好，可是，若不妥设想，哪怕是小功率MOS管，也会致使芯片烧坏，本来想着更简略的，最初变得加倍庞杂。本文把经历总结一番，构成实际模子。
等效模子：MOS管等效电路及利用电路以下图所示：
把MOS管的微观模子叠加起来，就以下图所示：
咱们晓得，MOS管的输出与输出是相位相反，刚好180度，也便是等效于一个反相器，也能够懂得为一个反相任务的运放，以下图：
有了以上模子，就好办了，特别从运放这张图中，能够一眼看出，这便是一个反相积分电路，当输出电阻较大时，开关速率比拟迟缓，Cgd这颗积分电容影响不较着；
可是当开关速率比拟高，并且VDD供电电压比拟高，比方310V下，经由过程Cgd的电流比拟大，强的积分很轻易引发振荡，这个振荡叫米勒振荡。
以是Cgd也叫米勒电容，而在MOS管开关导通或关断的那段时候，也便是积分那段时候，叫米勒平台，以下图圆圈中的那局部为米勒平台，右侧的是振荡严峻的米勒振荡：
等效模子：由于MOS管的反应引入了电容，当这个电容充足大，并且前段旌旗灯号变更快，后端供电电压高，三者连系起来，就会引发积分过充振荡；
这个等价于温控的PID中的I模子，要想处理处理这个米勒振荡，在频次和电压稳定的环境下，普通能够进步MOS管的驱动电阻，减缓开关的边沿速率，其次比拟有用的体例是增添Cgs电容。
在前提许可的环境下，能够在Cds之间并上低内阻抗打击的小电容，或用RC电路来做接收电路。
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